探針臺(tái)高低溫真空探針臺(tái)可以很好的滿足極低溫測(cè)試和高溫?zé)o氧化測(cè)設(shè)：*** 極低溫測(cè)試:    因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過大或者探針無(wú)法接觸電極而使測(cè)試失敗。要想避免這些就需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。*** 高溫?zé)o氧化測(cè)試：當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃甚至更高溫度時(shí)，氧化現(xiàn)象會(huì)越來(lái)越明顯，并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。特點(diǎn)：      1、晶圓測(cè)試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因?yàn)闊崦浝淇s現(xiàn)象，定位好的探針與器件電極間會(huì)有相對(duì)位移，這時(shí)需要針座的重新定位，高低溫真空針座位于腔體外部，便于操作重新調(diào)整探針位置。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來(lái)調(diào)整探針的位置。針座行程 X-Y-Z ：25.4mm(1 inch)*25.4mm(1 inch)*25.4mm(1 inch)，精度10 micron（有效行程和精度可選）；2、工作臺(tái)溫度范圍：-150℃——400℃，顯示精度0.1℃，控溫精度2℃，工作臺(tái)溫度均勻   性5℃,常溫到-150℃冷卻時(shí)間:1小時(shí)40分鐘，常溫到400℃加熱時(shí)間：40分鐘；3、真空腔體極限真空到6.67*10-1Pa（配置機(jī)械泵）；4、可以選擇射頻配件做高67 GHz的射頻測(cè)試；5、選配：顯微鏡、防震桌、方形工作臺(tái)、分子泵組、射頻部件等。

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