防爆氧分析儀DLAS技術是一種高分辨率的光譜吸收技術，半導體激光穿過被測氣體的光強衰減可用朗伯-比爾（Lambert-Beer）定律表述式得出，關系式表明氣體濃度越高，對光的衰減也越大。因此，可通過測量氣體對激光的衰減來測量氣體的濃度。
分析儀按照光學系統(tǒng)劃分，可分為雙光路和單光路兩種：
（1）雙光路：從兩個相同光源或一個精確分配的單光源，發(fā)出兩路彼此平行的光束，分別通過分析氣室后和參比氣室后進入檢測器。
（2）單光路：從光源發(fā)出單束紅外光，利用切光裝置將紅外光調制成不同波長的光束，輪流通過分析氣室進入檢測器。
質譜分析法是利用不同離子在電場或者磁場中運動軌跡的不同，把離子按質荷比分離而得到質量圖譜，可以得到樣品的定性定量結果。質譜儀按照常用的質量分離器不同可分為掃描磁扇式磁場質譜儀和四極質譜儀，飛行時間質譜儀等幾種類型。目前工業(yè)應用上通常采用的是掃描磁扇式質譜儀。四極質譜儀的靈敏度高，適合實驗室或科學研究。掃描磁扇式的穩(wěn)定性和重復性較高，適合工業(yè)應用。
防爆氧分析儀 在儀器應用的過程中，影響因素種類較多且變化較復雜，而要想有效地控制這些影響因素及排除干擾測定的因素則困難比較大。例如微量氧的測定，不但要嚴格控制系統(tǒng)材質和密封，而且系統(tǒng)的潔凈等諸多因素也必須逐一解決好，否則，氧成分分析不會得到準確的測定結果。而對于氣體中微量水含量的測定，除了考慮以上提到的各種影響因素外，還必須考慮到樣氣中的水在管道內的吸附平衡問題，而這一問題的妥善處理必須依靠反復試驗，了解其變化情況和規(guī)律，掌握其中的操作技術，以便得到準確無誤的結果。
