海納光學(xué)代理的Tm，Ho：KYW激光晶體、Cr：LiSAF晶體激光晶體-有源激光介質(zhì)是激光內(nèi)部光學(xué)增益的來源。激光晶體或激光玻璃通常摻雜稀土離子(例如釹、鐿或鉺)或過渡金屬離子(鈦或鉻)。為了激發(fā)激光，有源增益介質(zhì)必須處于非熱能分布中，即粒子數(shù)反轉(zhuǎn)。Optogama開發(fā)了不同的激光晶體主機(jī)和離子摻雜劑組合，用于基礎(chǔ)研究和工業(yè)應(yīng)用。Tm,Ho：KYW晶體、Cr：LiSAF晶體是其中兩款比較有特色的激光晶體。
Tm，Ho：KYW激光晶體、Cr：LiSAF晶體
Cr3 +：LiSAF增益介質(zhì)在近紅外線中具有較寬的發(fā)射帶，可通過鎖模技術(shù)廣泛地調(diào)節(jié)激光操作并產(chǎn)生約10 fs的光脈沖。Cr：LiSAF晶體可以以非常低的損耗水平（0.2％/ cm）生長，并且能夠構(gòu)建高Q腔，從而導(dǎo)致激光閾值低至2 mW，斜率效率高于50％。此外，Cr：LiSAF的非線性折射率比Ti：藍(lán)寶石低約四倍，這減少了超短脈沖產(chǎn)生和放大中不想要的非線性。
與Tm3 +離子相比，Ho3 +離子通常具有更高的發(fā)射截面和更長的較高激光能級壽命。這些特征對于低閾值和有效的激光操作特別理想。但是，人們認(rèn)識到，由于Ho3 +不具有與市售激光二極管的輸出*匹配的強(qiáng)吸收線，因此通常選擇Ho3 +與Tm3 +離子共摻雜以實(shí)現(xiàn)在2μm光譜范圍內(nèi)有效工作。Tm-Ho系統(tǒng)中的能量傳遞路徑。 Tm，Ho：KYW晶體的特征是大而寬的極化吸收和發(fā)射帶，有效的能量傳遞Tm3 +→Ho3 +。
Tm，Ho：KYW晶體主要特點(diǎn)：
-大而寬的偏振吸收和發(fā)射帶
-有效能量傳遞TM3+→Ho3+
-高摻雜濃度低濃度淬火
-可根據(jù)要求提供定制水晶
Tm，Ho：KYW晶體主要應(yīng)用：
- 2μm型遙感激光器(激光雷達(dá)技術(shù))、計(jì)量和醫(yī)療應(yīng)用
-中紅外光學(xué)參量振蕩器的泵浦源。
Tm，Ho：KYW晶體技術(shù)特性：
吸收峰波長 802 nm
峰值吸收截面 7.6×10-20厘米2
峰值吸收帶寬 ~4nm
激光波長 2060 nm
5～7能級時(shí)間 1.8毫秒
發(fā)射截面@2056 nm 4.7×10-20厘米2
折射率@1040 nm ng=2.05，nm=2.01，np=1.97
晶體結(jié)構(gòu) 單斜
密度 6.5克/cm3
Mohs硬度 4-5
熱導(dǎo)率 ~3.3Wm-1K-1
DN/DT DNm/dt=-9.2×10-6 K-1
熱膨脹系數(shù) αp=1.83×10-6 K-1、αm=10.29×10-6 K-1,
αg=15.94×10-6 K-1
典型摻雜水平 5%[TM],0.5%[HO]
Tm,Ho：KYW晶體的吸收和發(fā)射曲線
Tm,Ho：KYW晶體產(chǎn)品規(guī)格：
定向 Ng-切割
透明孔徑 >90%
面尺寸公差 +0/-0.1毫米
長度公差 ±0.1毫米
平行度誤差 <10 arcsec
垂直度誤差 <10 arcmin
保護(hù)槽 <0,1 mm at 45?
表面質(zhì)量 10-5 S-D
表面平整度 <λ/10@6328 nm
涂層 R<0，5%@802 nm+R<0，15%@2000-2100
利特 >10 J/cm2@2060 nm，10 ns
Tm,Ho：KYW晶體產(chǎn)品型號
SKU 面尺寸 長度 端面 摻雜 涂層 價(jià)格(RMB)
7855 3x3毫米 2毫米 直角切割 TM 5%，Ho 0 5% AR/Ar@802nm+2000-2100 nm 5600
7856 3x3毫米 2毫米 布魯斯特切 TM 5%Ho 0 5% 無涂層 4400
Cr：LiSAF晶體主要特點(diǎn)：
-寬吸收和發(fā)射帶
-非線性折射率比Ti：藍(lán)寶石低四倍。
-可根據(jù)要求提供定制水晶
Cr：LiSAF晶體主要應(yīng)用：
-飛秒激光與CPA激光系統(tǒng)
Cr：LiSAF晶體技術(shù)特性：
吸收峰波長 670 nm
峰值吸收截面 5.5×10-20cm2
峰值吸收帶寬 ~100 nm
激光波長 830(780-920)nm
壽命4T2能級 67 μs
發(fā)射截面 5×10-20cm2
折射率 1.41
晶體結(jié)構(gòu) 三角狀
密度 3.45公斤/厘米3
Mohs硬度 4
熱導(dǎo)率 4.6(x{e76f}a)，5.1(x{e76f}c)Wm-1K-1
DN/DT -4,2×10-6K-1(no), -4,6×10-6 K-1(N)e)
熱膨脹系數(shù) 22×10-6(x{e76f}a)K-1, 3.6×10-6(x{e76f}c)K-1
典型摻雜水平 0.8%-1.5%
Cr：LiSAF晶體的吸收和發(fā)射曲線
Cr：LiSAF晶體產(chǎn)品規(guī)格：
方向 b切
透明孔徑 >90%
面尺寸公差 +0/-0.1毫米
長度公差 ±0.1毫米
平行度誤差 <10 arcsec
垂直度誤差 <10 arcmin
保護(hù)槽 <0.1 mm at 45?
表面質(zhì)量 10-5 S-D
表面平整度 <λ/8@6328 nm
波前畸變 <λ/4@6328 nm
涂層 Ar(R<0.5%)@450~800 nm
激光損傷閾值 >10 J/cm2@1064 nm，10 ns
