活性炭廢氣處理設備 當吸附進行一段時間后，由于表面吸附質(zhì)的濃集，使其吸附能力明顯下降而吸附凈化的要求，此時需要采用一定的措施使吸附劑上已吸附的吸附質(zhì)脫附，以協(xié)的吸附能力，這個過程稱為吸附劑的再生。因此在實際吸附工程中，正是利用吸附一再生一再吸附的循環(huán)過程，達到除去廢氣中污染物質(zhì)并回收廢氣中有用組分。
活性炭廢氣處理設備
特點：① 不需要高成本的化學藥劑，運行穩(wěn)定，耐腐蝕，耐負荷沖擊能力大。② 針對特定有害氣體成份馴化適當?shù)奈⑸?，提高單位容積的負荷率。③ 填料采用有機無機混合填料，比表面積大，孔隙率高，并可為微生物提供營養(yǎng)，可支撐大量不同種群微生物群。④ 填料活性介質(zhì)的損失小、可減少能耗，降低運行費用。采用強化自然生物降解污染物，無二次污染物產(chǎn)生。VOC去除率高，對H2S的去除率可達99%。 PLC控制系統(tǒng)自動運行，無需人員管理。
光催化是常溫深度反應技術。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機污染物*氧化成無毒無害的產(chǎn)物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術則需要在*的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要高溫,燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過量的空氣使這些雜質(zhì)燃燒，大多數(shù)生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當處理含氯和含硫的有機化合物時，燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2，需要對燃燒后氣體進一步處理。
從理論上講，只要半導體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導體就有可能用作光催化劑,常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應有突出優(yōu)點，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導體帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。
