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廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司

便攜式igbt測(cè)試設(shè)備-華科智源

參考價(jià) 200
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號(hào)HUSTEC-160
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間2020/11/5 9:51:55
  • 訪問(wèn)次數(shù)835
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   深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè),坐落于改革開(kāi)放之都-中國(guó)深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;
    華夏神州,科技興國(guó),智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長(zhǎng);華科智源公司 核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國(guó)內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國(guó)功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國(guó)家提出的中國(guó)制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
    深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商,2025中國(guó)制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來(lái)料選型。

首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng),SMT智能首件檢測(cè)儀,首樣檢測(cè),首板確認(rèn)
測(cè)量范圍 igbt mos bjt 測(cè)量精度 Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)cm;mm 用途 檢修地鐵 汽車
重量 30kg
便攜式igbt測(cè)試設(shè)備-華科智源靜態(tài)參數(shù):BVCES/集射極擊穿電壓,VGE(th)/柵極開(kāi)啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降;VCESAT/飽和壓降,IGESR,IGESF 柵極漏電流
便攜式igbt測(cè)試設(shè)備-華科智源 產(chǎn)品信息

便攜式igbt測(cè)試設(shè)備-華科智源

  1. 物理規(guī)格

設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)cm;

質(zhì)量:30kg

  1. 環(huán)境要求

海拔高度:海拔不超過(guò) 1000m; 儲(chǔ)存環(huán)境:-2050;

工作環(huán)境:1540

RH (無(wú)凝露,濕球溫度計(jì)溫度: 40以下);

大氣壓力:86Kpa106對(duì)濕度:20%RH ~ 75%Kpa。

防護(hù):無(wú)較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;

  1. 水電氣

用電要求:AC220V,±10%; 電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz
 

四、便攜式igbt測(cè)試設(shè)備-華科智源基礎(chǔ)能力

 

  1. 測(cè)試電壓范圍0-±5000V
  2. 測(cè)試電流范圍0-±1600A
  3. 測(cè)試柵極電壓范圍:0-±100V
  4. 電壓分辨率:0.1mV
  5. 電流分辨率:0.1nA

 

五、測(cè)試種類及參數(shù)

 

  1. 、Diode支持 Si ,SiC , GaN材料器件

 

  1. 靜態(tài)參數(shù):BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降;

 

  1. 、MOSFET支持 Si ,SiC , GaN材料器件

 

  1. 靜態(tài)參數(shù):BVDSS/漏源極擊穿電壓,VGS(th)/柵極開(kāi)啟電壓,IDSS漏源極漏電流、VF/二極管正向壓降;Rdson 內(nèi)阻

 

  1. 、IGBT單管及模塊支持 Si ,SiC , GaN材料器件

 

靜態(tài)參數(shù):BVCES/集射極擊穿電壓,VGE(th)/柵極開(kāi)啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降;VCESAT/飽和壓降,IGESR,IGESF 柵極漏電流


 

關(guān)鍵詞:溫度計(jì)
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