2. 富集時間:0~60min
3. 冷阱溫度范圍:-35~400℃
4. 閃蒸升溫速率:>100℃/s
5. 采樣流速:0~160ml/min
6. 重復性:≤3%
2. 半導體制冷低溫冷阱可低至零下三十度,極大提高富集效率;
3. 單通道、雙通道富集儀可選,可實現(xiàn)采樣過程連續(xù)不間斷;
4. 電磁閥與傳輸線的連接點處于加熱保溫箱內(nèi),無傳輸冷點;
5. 經(jīng)濟實用,維護簡單,無需制冷劑制冷,極大降低運行成本。
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