LJD系列 介電常數(shù)測試儀由高頻阻抗分析儀、測試裝置，標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對薄膜、各種板材及液態(tài)絕緣材料進(jìn)行高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角(D或tanδ) 的測試。它符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
LJD系列介電常數(shù)測試儀工作頻率范圍是20Hz～5MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對絕緣材料的相對介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測試。
LJD系列中測試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用高頻阻抗分析儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗值)變化和Cp（電容值）讀數(shù)通過公式計算得到。
1 高低頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀特點：
◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示，保證了ε和D值精度和重復(fù)性。
◎ 介電常數(shù)測量范圍可達(dá)1～105
2 高低頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 ε和D性能：
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率20Hz～5MHz的ε和D變化的測試。
2.1.2 ε和D測量范圍：ε：1～105，D：0.1～0.00005，
2.1.3 ε和D測量精度（10kHz）：ε：±2% ， D：±5%±0.0001。
2.2高頻阻抗分析儀和數(shù)字電橋
型號 | LJD-C | LJD-D |
工作頻率范圍 | 50Hz～100kHz（10個頻點） 精度：±0.05% | 20Hz～1MHz/2MHz/5MHz 數(shù)字合成，精度：±0.02% |
電容測量范圍 | 0.0001pF～99999μF 四位數(shù)顯 | 0.00001pF～9.99999F 六位數(shù)顯 |
電容測量基本誤差 | ±0.05% | ±0.05% |
損耗因素D值范圍 | 0.0001～9.9999 四位數(shù)顯 | 0.00001～9.99999 六位數(shù)顯 |
2.3 DL916B 介電常數(shù)測試裝置（含保護(hù)電極）
2.3.1 平板電容器極片尺寸：Φ5mm、Φ38mm和Φ50mm三種可選.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.001mm
2.3.3插頭間距：與電橋四端配合
2.3.4加溫控溫裝置(選購設(shè)備)可以完成Z高200℃控溫精度l℃加熱測試。
2.4 Agilent 16451B 介質(zhì)材料測試裝置提供四種不同直徑測試電極，
能對直徑φ10～56mm，厚度<10mm的試樣精確測量。它針對不同試樣
可設(shè)置為接觸電極法，薄膜電極法和
非接觸法三種，以適應(yīng)軟材料，表面不平整和薄膜試樣測試。
2.4.1 微分頭分辨率：10μm
2.4.2 Z高耐壓：±42Vp（AC+DC）
2.4.3 電纜長度設(shè)置：1m
2.4.4 Z高使用頻率：30MHz
2.5 高頻介質(zhì)樣品（選購件）：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測量儀提供的測量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測試樣品。
用戶可按需訂購，以保證測試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。
2.6 LJD系列 介電常數(shù)測試儀配置
配置類型 | 普及型 | 標(biāo)準(zhǔn)型 | 精密型 |
電橋工作頻率范圍 | 100Hz～100kHz 精度：±0.02% | 20Hz～5MHz 精度：±0.02% | 20Hz～5MHz 精度：±0.02% |
配置型號 | LJD數(shù)字電橋 +DL916B測試裝置 | LJD系列 阻抗分析儀 +DL916B三電極測試裝置 | LJD系列 阻抗分析儀 +16451B介質(zhì)材料測試裝置 （能適宜各種樣品） |
介電常數(shù)范圍 | 1-1000 精度：±5% | 1-1000 精度：±2% | 1-100000 精度：±2% |
損耗因素D值范圍 | 0.0001～9.9999 四位數(shù)顯 | 0.00001～9.99999 六位數(shù)顯 | 0.00001～9.99999 六位數(shù)顯 |
