NIR-01-3D紅外探傷測(cè)試儀
NIR-01-3D型紅外探傷測(cè)試儀是采用歐洲CNC工程鋁合金材料，其表面都采用了高強(qiáng)度漆面和電氧化工藝保護(hù)，系統(tǒng)外框采用高質(zhì)量工業(yè)設(shè)計(jì)，所有的部件的設(shè)計(jì)都達(dá)到了*高強(qiáng)度使用及zui小維護(hù)量的要求，做到的穩(wěn)定性和耐用性。
技術(shù)特點(diǎn)：
■自動(dòng)化程度更高，測(cè)試效果更好
■采用銦鎵砷傳感器，而非一般廠家采用固定值的模擬攝像管，具有硬件圖像校正和計(jì)算機(jī)參數(shù)控制的功能（包括亮度，伽馬，積分時(shí)間），其靈敏度好，探傷結(jié)果與實(shí)際情況*性佳。不需為不同尺寸的硅塊設(shè)置不同的硬件參數(shù)（探傷位置，聚焦點(diǎn)，校準(zhǔn)）
■我們的軟件系統(tǒng)為不同硅塊的表面情況及尺寸提供設(shè)置菜單，沒(méi)有必要在硬件上進(jìn)行設(shè)置（當(dāng)然我們也可以從硬件上進(jìn)行設(shè)置）。
■光源探照有效同質(zhì)區(qū)域?yàn)?/span>300×330mm/550mm，我們采用了特殊擴(kuò)散板材料，保證了在沒(méi)有圖像處理的情況也能確保成像質(zhì)量。
■測(cè)試范圍更廣
■不僅可以探測(cè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸的硅塊，而且可以探測(cè)任何尺寸的硅塊，沒(méi)有光源照射區(qū)域限制。
■也可直接對(duì)未拋光的硅塊進(jìn)行直接探測(cè)。
■壽命更長(zhǎng)
■紅外照相機(jī)３年免費(fèi)保修或更換的承諾
■我們采用的是*的含有冷卻單元的工業(yè)級(jí)鍍金近紅外鹵管，保證了光源的持久耐用性，設(shè)備已經(jīng)不采用普通鹵管設(shè)計(jì)，我們提供了強(qiáng)致冷卻單元，為設(shè)備的正常使用提供了足夠的冷卻單元，大大延長(zhǎng)了儀器的使用壽命。
■所有的部件的設(shè)計(jì)都達(dá)到了*高強(qiáng)度使用及zui小維護(hù)量的要求
■即使在高照明的條件下，我們的相機(jī)傳感器也幾乎沒(méi)有退化的情況。
■有多年在歐洲生產(chǎn)銷(xiāo)售應(yīng)用的經(jīng)驗(yàn)，產(chǎn)品具有優(yōu)良的工業(yè)應(yīng)用性。
■檢測(cè)更快
■檢測(cè)速度快，自動(dòng)四面檢測(cè)< 1分鐘,快速兩面檢測(cè)<20秒，一面<5秒
■系統(tǒng)功能強(qiáng)大
■可定制硅塊縫合復(fù)原功能
■可定制硅塊尺寸測(cè)試模塊
■可根據(jù)客戶需求進(jìn)行功能模塊定制，包括硅錠晶體生長(zhǎng)情況進(jìn)行工藝分析
■可定制在線生產(chǎn)模式
■可定制砷化鎵磷化銦等其他半導(dǎo)體材料的探傷檢測(cè)
■可定制中文操作系統(tǒng)界面
技術(shù)指標(biāo)：
■主要探測(cè)指標(biāo)：裂縫，黑點(diǎn)，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶
■硅塊電阻率：≥0.5Ohm*Cm（*）
■檢測(cè)時(shí)間：平均每個(gè)硅塊小于1分鐘，兩面小于20秒，一面小于5秒
■硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm
■ 分辨率：320px*256px（zui早生產(chǎn)的產(chǎn)品）
640 px *512px（目前市場(chǎng)供應(yīng)）
1280 px*1024px（2010年12月份批量生產(chǎn)）
2560 px*2048px（行業(yè)zui高，2011年1-3月份批量生產(chǎn)）
■ 旋轉(zhuǎn)臺(tái)
■采用單軸伺服電機(jī)
■zui大承載量:40kg
■具有過(guò)流保護(hù)以防止損傷和電機(jī)燒毀
■無(wú)步進(jìn)損失，高分辨率解碼機(jī)器
■紅外光源
■高強(qiáng)度NIR鹵燈，273mm加熱波長(zhǎng)
■功率：230V,1000W
■溫度：25-60攝氏度
■光強(qiáng)可通過(guò)軟件控制
■軟件具有過(guò)熱保護(hù)
■觀測(cè)儀
■采用紅外CCD控溫
■12位ADC
■頻率：60Hz和100Hz兩個(gè)選擇
■像素間距: 30μm
■可手動(dòng)調(diào)節(jié)紅外鏡頭
■ 測(cè)試樣品
■測(cè)試硅塊尺寸：210mmx210mmx420mm
■一套硬件裝備可以檢測(cè)所有尺寸的硅塊
■適用于不同的表面質(zhì)量和厚度的硅塊
■適用于拋光面和裸面，拋光面探測(cè)效果更佳
■電阻率：≥0.5Ohm*Cm（*）
■ 應(yīng)用
■裂縫，黑點(diǎn)，夾雜（通常為SiC），隱裂，微晶
■ 軟件（基于WIN XP）
■可從四個(gè)方向進(jìn)行自動(dòng)取樣
■可快速進(jìn)行樣塊的快速測(cè)量
■軟件會(huì)對(duì)探測(cè)結(jié)果進(jìn)行評(píng)價(jià)
■可對(duì)檢測(cè)參數(shù)進(jìn)行靈活設(shè)置
■可進(jìn)行像素管理和圖像處理
■系統(tǒng)將對(duì)探測(cè)結(jié)果進(jìn)行三維立體描繪
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