產品詳情

功能及主要參數：

　　適用碳化硅二極管、IGBT模塊\MOS管等器件的時間參數測試。

　　主要技術參數：

　　IGBT開關特性測試

　　開關時間測試條件

　　Ic：50A～1000A     Vce：200V～2000V

　　Vgs：-10V～＋20V  Rg：1R～100R可調(可選擇4檔及外接)

　　負　　載：感性負載阻性負載可切換

　　電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH

　　電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R

　　IGBT開關特性測試參數

　　開通延遲td(on): 20nS -10uS     

　　上升時間tr:    20nS -10uS

　　開通能量Eon：  0.1-1000mJ                

　　關斷延遲時間td(off)：20 nS -10uS  

　　下降時間 tf： 20nS -10uS                   

　　關斷能量Eoff：0.1-1000mJ

　　二極管反向恢復特性測試

　　FRD測試條件：正向電流IF：50A～1000A；反向電壓 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us ；負載：感性負載可選

　　電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH

　　FRD測試參數

　　反向恢復時間trr：20nS -2uS

　　反向恢復電荷Qc：10nC~10uC；

　　反向恢復電流Irm：50A~1000A

　　反向恢復損耗Erec：0.1mJ～1000mJ

產品優(yōu)勢

　　國內少有能對二極管、IGBT模塊、MOS管等器件的時間參數實施測試的設備。