一種新穎的數(shù)字顯示式多功能半自動可控硅和可控硅光電耦合器參數(shù)測試裝置。
一、概述：
可控硅測試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式多功能可控硅參數(shù)測試裝置，它可以測量各種大小功率的單雙向可控硅（晶閘管），小至TO-92、TO-126、TO-220、TO-3P等封裝的單雙向可控硅，大至1000A 的平板型可控硅、螺栓型可控硅和各種組合模塊，可以測量觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT、斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓VDSM、反向不重復(fù)峰值電壓VRSM等可控硅主要參數(shù)，該儀器主要用于可控硅使用廠家對可控硅元件的質(zhì)量檢驗、參數(shù)的配對、可控硅設(shè)備的維修之用。儀器還可以用于其它電子元器件的高低壓耐壓測試，如：大中小功率的二極管、三極管、場效應(yīng)管的耐壓，壓敏電阻的電壓值，觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓等。
二、主要應(yīng)用范圍：
1、可以測量以下的單雙向可控硅及各種可控硅模塊的IGT、VGT、VDSM、VRSM 。
2、可以測量可控硅的雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓。
3、可以測量各種大小功率的二極管、三極管、穩(wěn)壓管、場效應(yīng)管、IGBT及各種模塊的擊穿電壓。
4、可以測量各種大小功率的壓敏電阻、放電管等的擊穿電壓。
5、可以測量非電解類小容量電容器的耐壓（尤其可以測量4KV以下的小容量高壓電容）。
6、一般可控硅測試采用0-4KV等級的儀器已能滿足要求，若有其它特殊要求可以定制zui高達0-12KV的儀器。
三、可控硅測量儀主要技術(shù)參數(shù)：
1、觸發(fā)電壓VGT測量范圍： 0—5V ， 精度 ≤%。
2、觸發(fā)電流IGT 測量范圍： 0— ，0— ， （分兩檔） 精度 ≤%。
3、可控硅耐壓參數(shù)測試用高壓輸出和測量范圍： 0—2KV、 0—4KV ，（分兩檔） 精度 ≤% 。
4、其它電子原器件耐壓測試用高壓輸出和測量范圍： 0—2KV、 0—4KV 。
四、產(chǎn)品特點是：
1、實用性強
2、測量范圍廣
3、使用方便
4、采用一種特殊的可調(diào)恒壓限流電源可確保在測試耐壓的過程中不易損壞被測器件。
五、可測試類型：
1、平板型大功率可控硅（晶閘管）的測試
2、螺栓型中大功率可控硅（晶閘管）的測試
3、利用塑封管測試盒可以測量從TO-92到TO-3P等各種封裝的可控硅
4、塑封中小功率可控硅（晶閘管）的測試
5、可控硅（晶閘管）模塊的測試
