性能指標

1. 二次電子像分辨率
2. 高加速：0.8 nm@15.0 kV (GB)
3. 低加速：1.2 nm@1.0 kV (GB)
4. 極低加速：3.0 nm@0.1 kV (GB)
5. 分析：3.0 nm@15 kV, 5 nA, WD 10 mm， WD: 2.0 ～ 25.0 mm (LDF模式時可達41mm) 

主要應用

1. 該電鏡及其附件主要用于各種材料的最細微納米結構的觀察;
2. 能夠在低電壓下為高磁性樣品成像和分析;
3. GB和GBSH模式可減少非導電樣品上的電荷;
4. 減少對高分辨成像的鏡頭像差影響;
5. 得到不導電樣品的高分辨圖像。

樣品要求

1. 樣品直徑＜32mm，高度＜20mm。
2. 不接受粉末樣品。
3. 可接金屬塊體，薄膜等固體樣品。 

儀器說明

1. JSM-7800F具有浸沒式肖特基電子槍；
2. 超級混合式物鏡 : SHL；
3. 用新型探測器過濾電子能量。