環(huán)保在線>產(chǎn)品庫(kù)>環(huán)境檢測(cè)儀器>氣體檢測(cè)儀器>空氣質(zhì)量自動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)>>Post-CMP清洗設(shè)備

Post-CMP清洗設(shè)備

參考價(jià)	面議

參考價(jià)

面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
品牌
型號(hào)
所在地
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
更新時(shí)間2023/8/12 7:33:07
訪問次數(shù)1624

產(chǎn)品標(biāo)簽:

在線詢價(jià)收藏產(chǎn)品進(jìn)入展商展臺(tái)

聯(lián)系方式：市場(chǎng)部13112345679查看聯(lián)系方式

聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說明是環(huán)保在線上看到的信息，謝謝!

索取相關(guān)資料

公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

盛美成立于2005年，是一家注冊(cè)在上海浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)、具備領(lǐng)先技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售于一體，主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備等。公司堅(jiān)持差異化競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新的發(fā)展戰(zhàn)略，通過自主研發(fā)的單片兆聲波清洗技術(shù)、單片槽式組合清洗技術(shù)、電鍍技術(shù)、無應(yīng)力拋光技術(shù)和立式爐管技術(shù)等，向全球晶圓制造、先進(jìn)封裝及其他客戶提供定制化的設(shè)備及工藝解決方案，有效提升客戶的生產(chǎn)效率、提升產(chǎn)品良率并降低生產(chǎn)成本。

盛美具有高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)，承擔(dān)十一五國(guó)家科技重大專項(xiàng)課題“65-45nm銅互連無應(yīng)力拋光設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目”的研發(fā)和十二五國(guó)家科技重大專項(xiàng)課題“20-14nm銅互連鍍銅設(shè)備研發(fā)與應(yīng)用”和“45-22納米單片晶圓清洗裝備研發(fā)與應(yīng)用”的研發(fā)。公司立足自主創(chuàng)新，通過多年的技術(shù)研發(fā)和工藝積累，成功研發(fā)出首個(gè)的 SAPS/TEBO 兆聲波清洗技術(shù)和 Tahoe 單片槽式組合清洗技術(shù)，可應(yīng)用于 28nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓清洗領(lǐng)域，可有效解決刻蝕后有機(jī)沾污和顆粒的清洗難題，并大幅減少濃硫酸等化學(xué)試劑的使用量，在幫助客戶降低生產(chǎn)成本的同時(shí)，滿足節(jié)能減排的要求。

盛美憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線，已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場(chǎng)口碑。

展開顯示更多內(nèi)容

清洗設(shè)備

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線詢價(jià)

盛美上海的Post-CMP設(shè)備用于制造高質(zhì)量襯底化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)工藝之后的清洗，有濕進(jìn)干出（WIDO）和干進(jìn)干出（DIDO）兩種配置。該清洗設(shè)備6英寸和8英寸的配置適用于碳化硅（SiC）襯底制造；8英寸和12英寸配置適用于硅片制造。

Post-CMP清洗設(shè)備產(chǎn)品信息

Post-CMP清洗設(shè)備

主要優(yōu)勢(shì)

在CMP步驟之后，需要在低溫下使用稀釋的化學(xué)品進(jìn)行物理預(yù)清洗工藝，以減少顆粒數(shù)量。盛美上海的Post-CMP清洗設(shè)備能夠滿足這些要求，并提供多種配置，包括盛美上海自主研發(fā)的 Smart MegasonixTM先進(jìn)清洗技術(shù)。

特性和規(guī)格（Ultra C WPN（WIDO））

在線預(yù)清洗設(shè)備：
　　　　可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個(gè)剩余顆?；?8納米以下
　　　　20-25個(gè)剩余顆粒
　　　　金屬污染可控制在1E+8（原子/平方厘米）以內(nèi)
　　　　當(dāng)配置4個(gè)腔體的時(shí)候，產(chǎn)能可達(dá)每小時(shí)35片晶圓

離線預(yù)清洗設(shè)備：
　　　　可實(shí)現(xiàn)37納米以下少于15個(gè)剩余顆?；?8納米以下
　　　　20-25個(gè)剩余顆粒
　　　　占地面積小