科思特CS2350M雙恒電位儀技術(shù)優(yōu)勢(shì)
CS2350M雙恒電位儀不僅具有CS單通道系列高精度、寬量程以及強(qiáng)大的數(shù)據(jù)分析處理功能，而且在原有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上創(chuàng)辛突破。 CS2350M雙通道硬件設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)兩組實(shí)驗(yàn)體系的測(cè)試要求，同時(shí)，軟件的組合編程功能大大提高了實(shí)驗(yàn)的效率。
科思特CS2350M雙恒電位儀應(yīng)用
? 雙通道獨(dú)立使用，可同時(shí)進(jìn)行兩組常規(guī)電化學(xué)測(cè)試
? 雙通道組合使用，可用于電化學(xué)分析四電極工作體系，尤其在氧還原（ORR）中間產(chǎn)物收集、金屬氫擴(kuò)散測(cè)試有廣泛應(yīng)用
科思特CS2350M雙恒電位儀技術(shù)參數(shù)
| 硬件參數(shù)指標(biāo) | |
| 單恒電位電位控制范圍 | ±10V |
| 雙恒電位儀電位控制范圍 | ±10V |
| 電位控制精度 | 0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù)±1mV |
| 電位靈敏度 | 10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) |
| 電位上升時(shí)間 | ＜1μs(<10mA),＜10μs(<2A) |
| 參比電極輸入阻抗 | 1012Ω||20pF |
| 恒電流控制范圍 | ±1A |
| 電流控制精度 | 0.1%×滿(mǎn)量程讀數(shù) |
| 電流靈敏度 | 1pA |
| 電流量程 | 2A～2nA, 共10檔 |
| 較大輸出電流 | 1A |
| 槽壓輸出 | ±21V |
| 電流掃描增量 | 1mA @1A/mS |
| CV和LSV掃描速度 | 0.001mV～10,000V/s |
| 電位掃描電位增量 | 0.076mV @1V/mS |
| CA和CC脈沖寬度 | 0.0001～65,000s |
| DPV和NPV脈沖寬度 | 0.0001～1000s |
| SWV頻率 | 0.001～100KHz |
| CV的較小電位增量 | 0.075mV |
| AD數(shù)據(jù)采集 | 16bit@1MHz，20bit @1kHz |
| 電流與電位量程 | 自動(dòng)設(shè)置 |
| DA分辨率 | 16bit |
| 建立時(shí)間 | 1μS |
| 低通濾波器 | 8段可編程 |
| 通訊接口 | 網(wǎng)口 |
| 儀器凈重 | 7.5Kg |
| 外形尺寸（cm） | 36.5(W)X30.5 (D)X16 (H) |
| 電化學(xué)阻抗測(cè)量指標(biāo) 信號(hào)分析器 | |
| 頻率響應(yīng) | 10μHz～1MHz |
| 交流信號(hào)幅值 | 1mV～2500mV |
| 頻率精度 | 0.005% |
| 信號(hào)分辨率 | 0.1mV RMS |
| DDS輸出阻抗 | 50Ω |
| 直流偏壓 | -10V～+10V |
| 正弦波失真率 | <1% |
| 波形 | 正弦波，三角波，方波 |
| 掃描方式 | 對(duì)數(shù)/線(xiàn)性，增加/下降 |
| 信號(hào)分析器 | |
| 較大積分時(shí)間 | 106個(gè)循環(huán)或者105S |
| 較小積分時(shí)間 | 10mS 或者一個(gè)循環(huán)的較長(zhǎng)時(shí)間 |
| 測(cè)量時(shí)間延遲 | 0～105秒 |
| 直流偏置補(bǔ)償 | |
| 電位補(bǔ)償范圍 | -10V～+10V |
| 電流補(bǔ)償范圍 | -1A～+1A |
| 帶寬調(diào)整 | 自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào) |
科思特CS2350M雙恒電位儀配置
電腦（選配*）
儀器主機(jī)1臺(tái)
模擬電解池1個(gè)
電源線(xiàn)、網(wǎng)線(xiàn)各1條
CS Studio測(cè)試與分析軟件1套
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