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產(chǎn)品|公司|采購|招標

廣電計量檢測集團股份有限公司

硅APD陣列 S8550-02

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱濱松光子學(xué)商貿(mào)(中國)有限公司
  • 品       牌
  • 型       號
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時間2023/8/31 13:57:17
  • 訪問次數(shù)235
產(chǎn)品標簽:

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濱松集團---光子技術(shù)、光產(chǎn)業(yè)的日本濱松光子學(xué)株式會社(簡稱濱松集團)是光子技術(shù)、光產(chǎn)業(yè)的。自1953年成立以來,濱松集團將超過15000種光電產(chǎn)品銷往100多個國家和地區(qū),這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用在生物醫(yī)療、高能物理、宇宙探測、精密分析、工業(yè)計測、民用消費等領(lǐng)域。多種產(chǎn)品以其優(yōu)異質(zhì)量著稱并享有高,如光電倍增管系列產(chǎn)品的高達90%。目前,濱松集團在日本、中國、中國臺灣、美國、德國、俄羅斯、意大利、南非、荷蘭、瑞士、丹麥、波蘭等國家和地區(qū)成立了分公司或事務(wù)所。濱松中國---中國市場與商務(wù)活動中心濱松集團于2011年10月成立了濱松光子學(xué)商貿(mào)(中國)有限公司(簡稱濱松中國),作為濱松集團在中國的銷售、技術(shù)支持、售后服務(wù)等市場與商務(wù)活動中心,全面負責(zé)濱松集團在中國所有產(chǎn)品的銷售業(yè)務(wù)。為了更好地服務(wù)好中國客戶,滿足中國不斷發(fā)展壯大的市場需求,濱松中國分別在2012年1月和2017年10月成立濱松中國上海分公司和濱松中國深圳分公司,在全面助力中國光子科學(xué)和技術(shù)發(fā)展的同時也為祖國的蓬勃發(fā)展貢獻濱松中國的一份力量。北京濱松---光電產(chǎn)品生產(chǎn)基地濱松集團的中國業(yè)務(wù)可以追溯到1988 年,由濱松集團與北京核儀器廠共同投資興建了北京濱松光子技術(shù)有限公司(簡稱北京濱松),現(xiàn)為國內(nèi)光電倍增管、探測器、晶體、電子玻璃等產(chǎn)品的生產(chǎn)基地。濱松三次助力諾獎小柴昌俊超級神岡實驗室是建立在地下1000米處,高41.4米、直徑39.3m的巨大的探測器,排布在上面是濱松為該實驗室專門研發(fā)和生產(chǎn)的20英寸光電倍增管,這個巨大的探測器使用了11200只這樣的光電倍增管。從1983年超級神岡探測器的前身神岡探測器建成以來,這些光電倍增管一直在默默地工作著。直到1987年2月,神岡探測器與美國的探測器共同發(fā)現(xiàn)了大麥哲倫星云超新星爆炸時產(chǎn)生的中微子,這是人類探測到太陽系以外的天體產(chǎn)生的中微子,為了表彰這項突出貢獻,神岡探測器的、日本科學(xué)家小柴昌俊先生被授予了2002年的諾貝爾物理學(xué)獎。恩格勒&希格斯2013年比利時理論物理學(xué)家弗朗索瓦·恩格勒和英國理論物理學(xué)家彼得·希格斯被授予諾貝爾物理學(xué)獎,以表彰他們在希格斯玻色子理論預(yù)言上的突出貢獻。 為了找到希格斯粒子,歐洲核子研究委員會(CERN)建造了27公里長的LHC。另外,他們還使用了龐大的粒子探測器“超環(huán)面儀器”(ATLAS)——25米高、45米長——和1.25萬噸重的“緊湊繆子線圈”(CMS)。其中在ATLAS試驗裝置中使用了大約17000個濱松生產(chǎn)研發(fā)的SSD和10540只PMT, CMS實驗裝置使用了大約24000個SSD和14000APD。梶田隆章&麥克唐納2015年諾貝爾物理學(xué)獎公布,來自日本東京大學(xué)宇宙射線研究所所長梶田隆章(Takaaki Kajita)和加拿大物理學(xué)家阿瑟-麥克唐納(Arthur B. McDonald)共同分享了當(dāng)年的物理學(xué)獎。梶田隆章和阿瑟-麥克唐納都在中微子研究方向上取得了突破性的進展,揭開了中微子振蕩之謎,在粒子物理學(xué)界開啟了一個新的研究方向。值得注意的是,梶田隆章和阿瑟-麥克唐納并不是同一個中微子研究小組,阿瑟-麥克唐納位于伯里中微子觀測站,而梶田隆章來自日本的超級神岡中微子探測器實驗組,而在這個實驗過程中濱松的產(chǎn)品起到了至關(guān)重要的作用。
低噪聲、短波靈敏度增強型4 × 8象元硅APD陣列 S8550-02是一款適用于短波探測的硅APD陣列,具有低噪聲、低結(jié)電容的特性。它還具有增益一致性和象元低串?dāng)_特性。
硅APD陣列 S8550-02 產(chǎn)品信息

詳細參數(shù)

類型 Short wavelength type (4 × 8 elements array)
感光面積 1.6 × 1.6 mm
封裝 Ceramic
峰值靈敏度波長(典型值) 600 nm
光譜響應(yīng)范圍 320 to 1000 nm
暗電流(值) 10 nA
截止頻率(典型值) 250 MHz
結(jié)電容(典型值) 9 pF
擊穿電壓(典型值) 400 V
擊穿電壓溫度系數(shù)(典型值) 0.78 V/℃
增益(典型值) 50
測試條件 Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=800 nm, M=1

光譜響應(yīng)




外形尺寸(單位:mm)

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