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廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司

LGSO, GSO, GSOZ, GPS晶體

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳維爾克斯光電有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2024/2/25 13:21:23
  • 訪問次數(shù)155
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深圳維爾克斯光電有限公司是的進(jìn)口光電代理商,代理的激光、光電、光機(jī)械類產(chǎn)品,應(yīng)用涵蓋物理與光學(xué)、化學(xué)、材料、生命科學(xué)等領(lǐng)域。我們與國(guó)內(nèi)各大高校、研究所、激光設(shè)備公司和及精密儀器公司保持著緊密的聯(lián)系,提供針對(duì)不同應(yīng)用的專業(yè)技術(shù)支持。 維爾克斯光電在衍射光學(xué)、微光學(xué)、太赫茲元件、、光束分析儀、太陽(yáng)光模擬器、顯微鏡載物臺(tái)、紅外熱像儀、電控平移臺(tái)、紅外探測(cè)器、光學(xué)儀器等領(lǐng)域具有多年的產(chǎn)品和技術(shù)積累,能夠?yàn)橛脩籼峁└鞣N高性價(jià)比的解決方案。
日本Oxide公司研發(fā)生長(zhǎng)的閃爍晶體諸如LGSO ,F(xiàn)ast-LGSO, GSO ,GSOZ ,GPS晶體都具有良好的性能,對(duì)科研應(yīng)用有十分重要的意義。Oxide閃爍晶體中, LGSO晶體,LGSO晶體,GSO晶體,GSOZ晶體,GPS晶體各具特色,比如耗散功率高,衰減時(shí)間短,淬滅溫度高等。
LGSO, GSO, GSOZ, GPS晶體 產(chǎn)品信息

日本Oxide高質(zhì)量閃爍晶體LGSO, GSO, GSOZ, GPS,出色平衡性


Oxide公司致力于光學(xué)晶體的生長(zhǎng)研發(fā)。其中一類被稱為閃爍晶體的GSO,GSOZ,GPS,LGSO是一類比較有價(jià)值的稀土硅酸鹽,常被應(yīng)用于高能粒子射線的探測(cè)。這些閃爍晶體的化學(xué)式全稱是LGSOLu2-xGdxSiO5),Fast-LGSOCe:LuxGd2-xSiO5)GSOGd2SiO5),GSOZZr:Gd2SiO5),GPSCe:Gd2Si2O7)。閃爍晶體的特點(diǎn)是當(dāng)有X射線等高能粒子輻射照在晶體上時(shí),會(huì)將激發(fā)出光子產(chǎn)生閃爍的熒光,因此稱之為閃爍晶體。原理是當(dāng)晶體受到入射粒子的撞擊時(shí),會(huì)吸收其能量并閃爍(即以光的形式重新發(fā)射所吸收的能量)。有時(shí),激發(fā)態(tài)是亞穩(wěn)態(tài)的,因此從激發(fā)態(tài)到較低態(tài)的弛豫會(huì)延遲(根據(jù)材料的不同,需要從幾納秒到幾小時(shí)):該過程對(duì)應(yīng)于兩種現(xiàn)象中的任何一種,這取決于躍遷的類型以及發(fā)射的光光子的波長(zhǎng):延遲熒光或磷光,也稱為輝光。下面簡(jiǎn)單介紹下每種晶體。


Oxide的閃爍晶體與NaI:Tl的對(duì)比

參數(shù)

NaI:Tl

GSO

GSOZ

LGSO

Fast-LGSO

GPS

密度(g/cm3

3.67

6.71

6.71

7.3

7.3

5.5

有效原子序數(shù)Zeff

50

58

58

63

63

~56

吸收系數(shù)(511keV

0.35

0.7

0.7

0.85

0.85

~0.6

峰值波長(zhǎng)(nm

415

430

430

410

410

~380

峰值波長(zhǎng)折射率

1.85

1.85

1.85

1.83

1.83

~1.8

輸出光(arb. Unit

100

20

24

~90

70~80

~140

衰減時(shí)間(ns

230

30~70

40~60

41

30~35

~150

能量分辨率(%662keV

7

9

9

~8

~8

~6

吸濕性

無(wú)

無(wú)

無(wú)

無(wú)

無(wú)

自發(fā)輻射

無(wú)

無(wú)

無(wú)

無(wú)

熔點(diǎn)(°C

651

1950

1950

2100

2100

1800


. LGSOLu2-xGdxSiO5)



LGSO是作為新型輻射探測(cè)器的關(guān)鍵材料,具有如下特點(diǎn)

-高耗散功率

-高輸出功率

-高分辨率

-快速的衰減時(shí)間

-有利于TOF PET

應(yīng)用方面:正電子發(fā)射斷層成像(Positron Emission TomographyPET



特性曲線:


與其他閃爍晶體的對(duì)比:


LGSO

LSO

BGO

NaI:Tl

輸出光(NaI=100

~80

~80

12

100

衰減時(shí)間(ns

~42

~42

300

230

峰值波長(zhǎng)(nm

410

410

480

415

密度(g/cm3

7.3

7.4

7.13

3.67

有效原子序數(shù)Zeff

63

63

77

50

吸濕性

無(wú)

無(wú)

無(wú)

自發(fā)輻射

無(wú)

無(wú)


. Fast-LGSO (Ce:LuxGd2-xSiO5)



特點(diǎn):

-比傳統(tǒng)LGSO更快的衰減時(shí)間

-其他與LGSO相似的優(yōu)點(diǎn)

應(yīng)用:

正電子發(fā)射斷層成像(Positron Emission Tomography,PET


特性曲線:

與傳統(tǒng)的閃爍晶體的對(duì)比:

Fast-LGSO

LGSO

LSO

LYSo

NaI:Tl

輸出光(NaI=100

~80

~80

~80

~80

100

衰減時(shí)間(ns

30~35

~42

~42

~40

230

ΔE/E137Cs, %

8~10

8~10

8~10

~10

7

密度(g/cm3

7.3

7.3

7.4

7.2

3.7

吸濕性

無(wú)

無(wú)

無(wú)

無(wú)

自發(fā)輻射

無(wú)

. GSO (Ce:Gd2SiO5) & GSOZ(Zr:Gd2SiO5)

特點(diǎn):

-對(duì)所有閃爍特性具有出色的平衡性

-良好的分辨率

-受摻Ce濃度影響的衰減時(shí)間

-良好的輻射硬度

-無(wú)本底輻射

-摻ZrGSO有較好的透過率

應(yīng)用:


與經(jīng)典閃爍晶體的對(duì)比:

參數(shù)

GSO

GSOZ

LGSO

LSO

BGO

NaI:Tl

輸出光(NaI=100

20

24

~80

~80

12

100

衰減時(shí)間(ns

30~60

30~60

~42

~42

300

230

峰值波長(zhǎng)(nm

430

430

410

410

480

415

密度(g/cm3

6.7

6.7

7.3

7.4

7.13

3.67

有效原子序數(shù)Zeff

58

58

63

63

77

50

吸濕性

無(wú)

無(wú)

無(wú)

無(wú)

無(wú)

自發(fā)輻射

無(wú)

無(wú)

無(wú)

無(wú)

溫度淬滅(°C

150

150

-

-

-

-

. GPS (Ce:Gd2Si2O7)


特點(diǎn):

-所有氧化物閃爍晶體中的光場(chǎng)

-高達(dá)300攝氏度依然有出色的表現(xiàn)、

-不具有吸濕特性

-無(wú)自發(fā)輻射

應(yīng)用:

-單光子發(fā)射計(jì)算機(jī)斷層掃描(single photon emission computed tomography,SPECT)

-國(guó)土安全

-一般的輻射監(jiān)測(cè)

特性曲線:


與傳統(tǒng)的閃爍晶體對(duì)比:

參數(shù)

GPS

GSO

La-GPS

LaBr3

NaI:Tl

輸出光(NaI=100

~140

20

~120

160

100

衰減時(shí)間(ns

50~130

30~60

50~70

25~30

230

ΔE/E137Cs, %

5~7

8~10

5~7

3~4

7

密度(g/cm3

5.5

6.7

~5.3

5.08

3.7

吸濕性

無(wú)

無(wú)

無(wú)

自發(fā)輻射

無(wú)

無(wú)

幾乎沒有

無(wú)

溫度淬滅(°C

300

150

>150

-

-









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