產(chǎn)品介紹
X 射線單色儀是一種彎曲單晶元件，可有效聚焦 X 射線輻射。多年來，人們一直知道彎曲晶體的特性，并將其用于聚焦和分析 X 射線。從根本上說，這些光學元件是通過衍射滿足布拉格條件的 X 射線來工作的、 n λ = 2 d sin ( θB )，其中 n 是整數(shù)，λ 是波長，d 是相鄰晶格平面之間的間距，θB 是以晶體平面為基準的布拉格角。通過在兩個方向上彎曲晶體平面以形成環(huán)形表面，可以在矢狀方向和切線方向上聚焦，同時將偏差降到很低。這些組件的應用包括同步輻射光束線的高能量分辨率分析儀、分析化學儀器以及熱稠密等離子體的光譜和成像--常見的是用于核聚變研究設施的目標診斷。
性能特點
光學接觸式晶體確保無排氣
準確拋光的曲率，斜率誤差小，晶體高度保形
晶體取向驗證小于 2 弧秒
通過 X 射線地形圖識別和剔除位錯、應變和表面下?lián)p傷
真空兼容性
光斑尺寸小
高衍射和高 X 射線通量
均勻的衍射強度曲線
技術參數(shù)
產(chǎn)地：美國
衍射晶體：石英、硅、鍺、鈮酸鋰、lnAs、KAP，以及其他可定制的材料
表面形狀：環(huán)形、橢圓形、非球面、圓柱形、圓錐形和球形
基底材料：N-BK7、耐熱玻璃和鋁
裝配尺寸：直徑可達 250 mm
裝配特征：缺口、凹槽和插入件便于集成和校準
方向精度：精度達 ±10 弧秒；相對精度達 ±2 弧秒
斜度誤差：在 633 納米波長下到每英寸λ/4
半徑公差：準確度在 1%以內(nèi)，環(huán)形結構的 Rv/Rh 比率控制在小數(shù)點后幾位。
測量方法：X 射線成像計量法
厚度：通常小于 100 μm
是否可彎曲：可輕松彎曲
產(chǎn)品應用
同步輻射光束線的高能量分辨率分析儀、分析化學儀器以及熱稠密等離子體的光譜和成像、用于核聚變研究設施的目標診斷
產(chǎn)品參數(shù)
