Lumentum APD 芯片是一種基于磷化銦 (InP) 的器件，設(shè)計(jì)用于高達(dá) 11.3 Gbps 的高性能電信接收器應(yīng)用。 通過提供 30 μm 孔徑的環(huán)形觸點(diǎn)，通過有源區(qū)的頂部照明接收光信號。
P（陽極）和 N（陰極）觸點(diǎn)在有源區(qū)上施加反向電偏壓。 圓形 P 鍵合焊盤的直徑為 70 微米，適用于引線鍵合。
APD 適用于以 M3 和 M10 之間的倍增增益因子以高達(dá) 11.3 Gbps 的速度運(yùn)行。
性能通過包括 DC、CV 和 AC 測試測量的晶圓測試來檢查。
<1FIT 的可靠性源自超過 400 億個(gè)現(xiàn)場小時(shí)。
Telcordia ESD 等級：min. 500 V型號。
- 400 x 400 x 80 微米尺寸
- 頂部照明 30 μm 孔徑
- 高帶寬
- 響應(yīng)能力好
- 2 pF 電容
- 頂部引線焊盤
- 針對環(huán)氧樹脂附著進(jìn)行了優(yōu)化
- -40 至 +85°C 操作
- 高達(dá)3 Gbps 的性能
- 非常高的可靠性
- 大批量生產(chǎn)
- 強(qiáng)大的 ESD 性能
擊穿電壓（在黑暗中，Id=10 µA）Vbr：-26…-32 V
暗電流（在黑暗中，Vbr * 0.9） Id9：50 毫安
3dB 帶寬，M=10（10 µW 入射 1550 nm，I=100 µA）BWM10 ：6.0 GHz
3dB 帶寬，M=3（10 µW 入射 1550 nm，I=30 µA）BWM3：6.0 GHz
響應(yīng)度 （10 µW，1550 nm）R：1.0 A/W
在固定電壓下（（VM3 和 VM10，Popt = 10µW，λ=1550 nm）1610 nm 時(shí)的電流比
）R1610/R1550：0.75
1300 nm 與 1550 nm 的響應(yīng)率比（在固定電壓下（VM3 和 VM10，Popt =10 µW, λ=1550 nm) 時(shí)的電流比）R1300/R1550：0.70
Vbr 溫度系數(shù)（-40 至 +85°C）dVbr/dT：0.040 …0.061 Vdeg-1
總電容（At Vbr * 0.9）C：0.22…0.25 pF
光過載（M3）Povld：-2 dBm
長途網(wǎng)絡(luò)
單模數(shù)據(jù)通信和電信
10G PON
