螣芯HS系列單雙面對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)

全自動(dòng)接觸式光刻機(jī)（紫外光刻機(jī)）4-12寸可選

全自動(dòng)單 /雙面接近式曝光機(jī)，兼容方形片光刻   4-12寸晶圓單、雙面曝光機(jī)   靈活多選定制

主要應(yīng)用：MEMS制造、CMOS圖像傳感器、存儲(chǔ)器、聲波器件、微流體芯片、化合物半導(dǎo)體、  晶圓級(jí)封裝、（TSV）等領(lǐng)域。

把涂有光刻膠的晶圓與掩膜重疊，專用顯微鏡和X?Y?θ，實(shí)現(xiàn)多層曝光時(shí)的自動(dòng)對(duì)位，

對(duì)位臺(tái)。自動(dòng)進(jìn)行基板調(diào)整、對(duì)位、曝光、傳送。

　　技術(shù)參數(shù)：

　　1．工作方式：裝載機(jī)械手將晶圓片從 A 晶圓盒自動(dòng)裝載至預(yù)定位工作臺(tái)，經(jīng)過定位傳感器及自動(dòng)旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)的調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)工件的預(yù)定位；裝載機(jī)械手再將完成預(yù)定位后的晶圓片裝載至對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)，經(jīng)過計(jì)算機(jī)圖像識(shí)別及自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)掩模版上圖形與晶圓片上的圖形的自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)，也可以不用對(duì)位圖形完成一次曝光，經(jīng)過曝光系統(tǒng)的自動(dòng)曝光后，再由卸載機(jī)械手將晶圓片自動(dòng)放入 B 晶圓盒，直至整個(gè)晶圓盒內(nèi)的晶圓全部完成套刻曝光。

　　2．曝光面積： 6寸”（可定制）

　　3．曝光照度不均勻性：≤3%；

　　4．曝光強(qiáng)度：0～≥50mw/cm2可調(diào)；

　　5．紫外光束角：≤3°（可選 2?或 1°相對(duì)曝光照度會(huì)變?nèi)酰?/p>

　　6．紫外光中心波長：365nm；（可選汞燈全波段）

　　7．紫外光源壽命：≥2 萬小時(shí)；

　　8．分離量：0～≥1090um 可調(diào)；

　　9．對(duì)準(zhǔn)精度：≤1μm；

　　10．曝光方式：硬接觸、軟接觸和接近式曝光；

　　11. 曝光模式：可選擇一次曝光或套刻曝光

　　12. 定位傳感器及自動(dòng)旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)（含預(yù)訂位工作臺(tái)）：旋轉(zhuǎn)角度 Q≥±180°旋

　　轉(zhuǎn)精度 Q≤0.001°；

　　13．圖像識(shí)別及自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（含對(duì)準(zhǔn)工作臺(tái)）：對(duì)準(zhǔn)范圍 X.Y≥±5mm，升旋

　　轉(zhuǎn)角度 Q≥±3°，顯微鏡整體橫向相對(duì)移動(dòng)≥±70mm。

　　14．掩模版尺寸： 7”x7 “（可定制）

　　15．晶圓尺寸： 6“（可定制）

　　16.A.B 晶圓盒移動(dòng)：Z≥±100mm；

　　17．裝卸載機(jī)械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；

　　18.晶圓盒晶圓片數(shù)量：根據(jù)客戶晶圓盒晶圓數(shù)量定；

　　19．版架臺(tái)移動(dòng)：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；

　　20．曝光定時(shí)：0～999.9 秒可調(diào)；

　　21. 生產(chǎn)節(jié)拍：10 秒+曝光時(shí)間；

　　22．電源：單相 AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；

　　23．潔凈空氣壓力：≥0.4MPa；

　　24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；

　　26．重量：約 200kg

螣芯HS系列單雙面對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)