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MOS/IGBT參數(shù)測試服務IV曲線掃描

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公司名稱西安長禾半導體技術(shù)有限公司
品牌其他品牌
型號長禾CNAS
所在地西安市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2025/3/13 11:09:10
訪問次數(shù)48

產(chǎn)品標簽:

開關(guān)時間測試開關(guān)損耗測試反向恢復時間測試靜態(tài)參數(shù)測試柵極電荷測試

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西安長禾半導體技術(shù)有限公司（簡稱“長禾實驗室”），位于中國西部科技創(chuàng)新高地——西安市高新，是一家專注于功率半導體器件檢測與驗證的企業(yè)。

作為國家認可委員會（CNAS）正式認證的大功率器件測試服務中心，長禾實驗室嚴格遵循國際標準，致力于為國內(nèi)外客戶提供一站式、專業(yè)測試服務。實驗室配備功率半導體測試設(shè)備和自動化測試平臺，全面覆蓋IGBT、MOSFET、二極管、晶閘管等核心功率器件的參數(shù)驗證、可靠性評估和失效分析。憑借技術(shù)實力和創(chuàng)新能力，已成長為國內(nèi)少數(shù)具備全鏈條功率器件測試、篩選及老化服務的機構(gòu)之一。業(yè)務涵蓋了軌道交通、新能源發(fā)電（風電、光伏）、新能源汽車、國防、工業(yè)控制、科研機構(gòu)等多個領(lǐng)域，為中國核心產(chǎn)業(yè)鏈提供堅實的技術(shù)保障。

完善的基礎(chǔ)設(shè)施和優(yōu)秀團隊一直是實驗室強化的重點，實驗室核心團隊研究生占比70%以上，具備深厚的學術(shù)背景和豐富的行業(yè)經(jīng)驗。在質(zhì)量控制方面，實驗室建立了完善的質(zhì)量管理體系，嚴格執(zhí)行實驗室管理標準。每個測試項目均建立了詳細的作業(yè)指導書，確保測試過程的標準化和可追溯性，數(shù)據(jù)的準確性和可靠性。

長禾實驗室秉持“嚴謹求實、精益求精”的企業(yè)精神，致力于推動中國功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈的高質(zhì)量發(fā)展，助力打造具備競爭力的半導體生態(tài)系統(tǒng)。未來，長禾實驗室將繼續(xù)發(fā)揮技術(shù)和資源優(yōu)勢，立足西安，努力成長為優(yōu)秀的功率半導體測試與驗證服務平臺，助力中國“芯”騰飛！

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功率半導體器件電參數(shù)測試，可靠性老化測試，環(huán)境老化，器件極限能力測試服務。

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加工定制	是

MOS/IGBT參數(shù)測試服務IV曲線掃描
功率器件參數(shù)驗證與二次篩選測試：保障器件性能穩(wěn)定，助力客戶優(yōu)化供應鏈質(zhì)量控制。
車規(guī)級元器件檢測：針對新能源汽車領(lǐng)域，提供符合嚴苛車規(guī)標準的功率器件篩選與驗證，助力行業(yè)客戶突破核心技術(shù)瓶頸。
環(huán)境與老化實驗：模擬特殊環(huán)境下器件工作狀態(tài)，確保產(chǎn)品在復雜工況中長期可靠運行。
失效分析及可靠性評估：快速精準定位元器件失效根因，為產(chǎn)品改進和技術(shù)迭代提供有力支撐。

MOS/IGBT參數(shù)測試服務IV曲線掃描產(chǎn)品信息

MOS/IGBT參數(shù)測試服務IV曲線掃描MOS/IGBT參數(shù)測試服務IV曲線掃描-第三方檢測中心

分立器件靜態(tài)參數(shù)測試（DC）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012、GJB128B-2021

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件；

檢測能力：檢測電壓：2000V 檢測電流：200A；

試驗參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：RDSON、GFS

I-V曲線掃描

ID vs.VDS at range of VGS

ID vs.VGS at fixed VDS

IS vs.VSD

RDS vs.VGS at fixed ID

RDS vs.ID at several VGS

IDSS vs.VDS

HFE vs.IC

BVCE（O,S,R,V） vs.IC

BVEBO vs.IE

BVCBO vs.IC

VCE（SAT） vs.IC

VBE（SAT） vs.IC

VBE（ON） vs.IC （use VBE test）

VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF

功率模塊靜態(tài)參數(shù)測試（DC）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流橋等功率；

試驗能力：檢測電壓：7000V，檢測電流：5000A

試驗參數(shù)：

漏電參數(shù)：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR；

擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS；

導通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM；

關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF

觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT

保持參數(shù)：IH、IH+、IH-

鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-

混合參數(shù)：RDSON、GFS

開關(guān)特性測試（Switch）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗能力：檢測電壓：4500V 檢測電流：5000A

試驗參數(shù)：開通/關(guān)斷時間ton/toff、上升/下降時間tr/tf、開通/關(guān)斷延遲時間td(on)/td(off)、開通/關(guān)斷損耗Eon/Eoff、電流尖峰Ic-peak max、電壓尖峰Vce-peak max、電壓變化率dv/dt、電流變化率di/dt；

反向恢復測試（Qrr）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗能力：檢測電壓：4500V 檢測電流：5000A

試驗參數(shù)：反向恢復電荷Qrr、反向恢復電流Irm、反向恢復時間Trr、反向恢復電流變化率diF/dt、反向恢復損耗Erec；

柵極電荷（Qg）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；；

試驗能力：檢測電壓：4500V 檢測電流：5000A

試驗參數(shù)：柵極電荷Qg、漏極電荷Qgs、源極電荷Qgd；

短路耐量（SCSOA）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗能力：檢測電壓：4500V 檢測電流：10000A

試驗參數(shù)：短路電流Isc、短路時間Tsc、短路能量Esc；

結(jié)電容（Cg）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模塊；

試驗能力：頻率：0.1-1MHz、檢測電壓：1500V；

試驗參數(shù)：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Cres；

C-V曲線掃描

輸入電容Ciss-V；

輸出電容Coss-V；

反向傳輸電容Cres-V；

柵極電阻（Rg）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、

GB/T 29332-2012；

試驗對象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模塊器件；

試驗能力：檢測電壓：1500V；

試驗參數(shù)：柵極等效電阻Rg

正向浪涌電流測試

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗對象：DIODE（Si/SiC）、整流橋、SCR、IGBT；

試驗能力：檢測電流：10000A，10ms/8.3ms正弦半波，100us/1ms/10ms方波。

試驗參數(shù)：浪涌電流IFSM/ITSM、i2t

雷擊浪涌 8/20us,10/1000us

雪崩耐量測試（UIS）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，IEC60747，客戶自定義；

試驗對象：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導體器件等單管器件；

試驗能力：檢測電壓：4500V，檢測電流：200A

試驗參數(shù)：雪崩能量EAS

介電性測試

執(zhí)行標準：GB/T 42125.10-2022、IEC 60243、GB 4793.1-2007；

試驗對象：Si、SiC·MOSFET；

試驗能力：檢測電壓：4500V，檢測電流：200A

高溫反偏試驗（HTRB）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度 150℃；電壓 5000V；

高溫柵偏試驗（HTGB）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

試驗對象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度 150℃；電壓 100V；

高溫高濕反偏試驗（H3TRB）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、

EIAJ ED-4701100 、AEC-Q101、。

試驗對象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模塊；

試驗能力：溫度85℃，濕度范圍：25%~95%，電壓 4500V；

功率老煉測試

試驗對象：IGBT、TVS、壓敏電阻VDR；

試驗能力：檢測電壓：4500V，檢測電流：200A

間歇壽命試驗（IOL）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、；

試驗對象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；

檢測能力：ΔTj≧100℃ 電壓 60V，電流 50A。

功率循環(huán)試驗（PC）

執(zhí)行標準：GJB128、MIL-STD-750、；

試驗對象：IGBT模塊；

檢測能力：ΔTj=100℃，電壓 30V，電流 1800A；

熱阻測試（Riath）

執(zhí)行標準：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；

試驗對象：各類二極管；

試驗能力：瞬態(tài)熱阻、穩(wěn)態(tài)熱阻

失效分析 X-ray

◆ 人機工程學設(shè)計

◆ 編程CNC檢測及選配旋轉(zhuǎn)工裝

◆ 可實時追蹤、目標點定位

◆ 高分辨率FPD獲高質(zhì)量圖像

◆ 配置超大載物臺及桌面檢測區(qū)域

◆ X射線源：

輸出功率：8W

光管類型：封閉式

管電壓：90kV

焦點尺寸：5μm

環(huán)境老煉

高溫存儲試驗（HTSL）

執(zhí)行標準：MIL-STD-750，GB/T 2423.2-2008、GJB548、；