蔡司 Sigma 系列掃描電子顯微鏡
擁有高品質(zhì)成像和分析功能的場發(fā)射掃描電鏡
蔡司 Sigma 系列是擁有高品質(zhì)成像和分析功能的場發(fā)射掃描電鏡。它收益于久經(jīng)考驗的Gemini 電子光學(xué)技術(shù)。Sigma 可以配備多種探測器,可以滿足不同的應(yīng)用需求:顆粒物,表面構(gòu)型及納米結(jié)構(gòu)等樣品的成像。利用 Sigma直觀的 4 步工作流程,可以使得日常所需的成像和分析的效率得到提高。
久經(jīng)考驗的Gemini鏡筒設(shè)計
1. Sigma系列產(chǎn)品是基于Gemini技術(shù)開發(fā)的。
2. Gemini物鏡的設(shè)計結(jié)合了靜電場與磁場的用作, 使其電子光學(xué)性能化的同時,將電磁場對樣品的影響降至,即便是磁性材料,也能輕松應(yīng)對。
3. Inlens鏡筒內(nèi)二次電子探測器安裝在電子束的正光軸上,極大地提高了樣品極表面二次電子的吸收效率,從而獲得更豐富的樣品表面形貌信息。
4. 實(shí)現(xiàn)了超低電壓下的不導(dǎo)電樣品的高分辨成像。
靈活的探測手段獲取高分辨率的圖像
1. 使用探測器技術(shù)描繪您的所有樣本。
2. 使用新型的 ETSE 二次電子探測器及用于高真空狀態(tài)下的 InLens 二次電子探測器可以獲得高分辨率的形貌信息。
3. VPSE 和 C2D 探測器在各種壓力模式下都可以獲取清晰的圖像。
4. 使用環(huán)形 STEM 探測器可以獲取高分辨率的傳送圖像。
5. 使用四通道BSD探測器和釔鋁石榴石晶體探測器研究成分。
的分析系統(tǒng)
1. 掃描電鏡與要素分析相結(jié)合: Sigma 的 EDS 幾何設(shè)計能夠增強(qiáng)分析能力,尤其是對電子束敏感的樣品。
2. 可實(shí)現(xiàn)在之前一半的束流下得到分析數(shù)據(jù),同時測試速度比之前快一倍。
3. 8.5mm 的工作距離和 35 度的出射角,可得到?jīng)]有陰影區(qū)域的分析結(jié)果。
擁有高品質(zhì)成像和分析功能的場發(fā)射掃描電鏡
蔡司 Sigma 系列是擁有高品質(zhì)成像和分析功能的場發(fā)射掃描電鏡。它收益于久經(jīng)考驗的Gemini 電子光學(xué)技術(shù)。Sigma 可以配備多種探測器,可以滿足不同的應(yīng)用需求:顆粒物,表面構(gòu)型及納米結(jié)構(gòu)等樣品的成像。利用 Sigma直觀的 4 步工作流程,可以使得日常所需的成像和分析的效率得到提高。
久經(jīng)考驗的Gemini鏡筒設(shè)計
1. Sigma系列產(chǎn)品是基于Gemini技術(shù)開發(fā)的。
2. Gemini物鏡的設(shè)計結(jié)合了靜電場與磁場的用作, 使其電子光學(xué)性能化的同時,將電磁場對樣品的影響降至,即便是磁性材料,也能輕松應(yīng)對。
3. Inlens鏡筒內(nèi)二次電子探測器安裝在電子束的正光軸上,極大地提高了樣品極表面二次電子的吸收效率,從而獲得更豐富的樣品表面形貌信息。
4. 實(shí)現(xiàn)了超低電壓下的不導(dǎo)電樣品的高分辨成像。
靈活的探測手段獲取高分辨率的圖像
1. 使用探測器技術(shù)描繪您的所有樣本。
2. 使用新型的 ETSE 二次電子探測器及用于高真空狀態(tài)下的 InLens 二次電子探測器可以獲得高分辨率的形貌信息。
3. VPSE 和 C2D 探測器在各種壓力模式下都可以獲取清晰的圖像。
4. 使用環(huán)形 STEM 探測器可以獲取高分辨率的傳送圖像。
5. 使用四通道BSD探測器和釔鋁石榴石晶體探測器研究成分。
的分析系統(tǒng)
1. 掃描電鏡與要素分析相結(jié)合: Sigma 的 EDS 幾何設(shè)計能夠增強(qiáng)分析能力,尤其是對電子束敏感的樣品。
2. 可實(shí)現(xiàn)在之前一半的束流下得到分析數(shù)據(jù),同時測試速度比之前快一倍。
3. 8.5mm 的工作距離和 35 度的出射角,可得到?jīng)]有陰影區(qū)域的分析結(jié)果。
主要技術(shù)參數(shù) | |||
蔡司Sigma 300 | 蔡司Sigma 500 | ||
電子槍 | 肖特基場發(fā)射 | 肖特基場發(fā)射 | |
15kV 對應(yīng)分辨率 | 1.0 nm | 0.8 nm | |
1kV 對應(yīng)分辨率 | 1.6 nm | 1.4 nm | |
背散射電子探測器類型 | HD BSD | HD BSD | |
掃描速度 | 50 ns/pixel | 50 ns/pixel | |
加速電壓 | 0.02 – 30 kV | 0.02 – 30 kV | |
放大倍率 | 10× – 1,000,000× | 10× – 1,000,000× | |
探針束流 | 3pA-20nA(選 20nA ) 6pA-100nA(選 100nA) | 3pA-20nA(選 20nA ) 6pA-100nA(選 100nA) | |
圖像存儲分辨率 | 32 k × 24 k pixels | 32 k × 24k pixels | |
接口 | 12 | 12 | |
能譜接口 | 2(1 個 EDS 專用及誒口) | 3(2 個 EDS 專用及誒口) | |
真空模式 | |||
高真空模式 | Yes | Yes | |
可變壓模式 | 2 – 133 Pa | 2 – 133 Pa | |
樣品臺種類 | 全電動5軸樣品臺 | 全電動5軸優(yōu)中心樣品臺 | 可選配全電動5軸樣品臺 |
X 方向移動范圍 | 125mm | 130mm | 125mm |
Y 方向移動范圍 | 125mm | 130mm | 125mm |
Z 方向移動范圍 | 50mm | 50mm | 50mm |
傾斜范圍 | -10 to +90 degrees | -3 to +70 degrees | -10 to +90 degrees |
旋轉(zhuǎn)范圍 | 360° Continuous | 360° Continuous | 360° Continuous |