產(chǎn)品介紹：
該系統(tǒng)以含鉬電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和30段程序控溫儀表，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端能不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，真空泵接口，具有溫場(chǎng)均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)。
結(jié)構(gòu)組成：
定制立式PECVD設(shè)備，由真空立式管式爐、石英真空室、射頻電源、供氣系統(tǒng)、真空測(cè)量系統(tǒng)組成。
主要特點(diǎn)：
1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。
2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低。
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小。
4、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高。
5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長(zhǎng)，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。
應(yīng)用范圍：
PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。 該系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于沉積高質(zhì)量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。
技術(shù)參數(shù)：
| 產(chǎn)品名稱 | 定制PECVD設(shè)備 |
| 產(chǎn)品型號(hào) | KJ-PECVD-DZ |
| 立式管式爐 | |
| 爐膛模式 | 立式開啟式 |
| 爐膛材料 | 進(jìn)口氧化鋁耐火纖維 |
| 加熱元件 | 進(jìn)口含鉬加熱絲 |
| 極限溫度 | 1200℃ |
| 工作溫度 | ≤1100℃ |
| 升溫速率 | ≤20℃(建議:15℃/min) |
| 加熱溫區(qū) | 單溫區(qū)、多溫區(qū) |
| 溫區(qū)總長(zhǎng)度 | 200、300、440 |
| 爐管材質(zhì) | 高純石英 |
| 爐管直徑 | 40、50、60、80、100、120、150mm...... |
| 密封方式 | 304不銹鋼真空法蘭一套(含密封硅膠圈) |
| 控制模式 | 觸屏 30段智能PID程序控溫 預(yù)留通訊接口 |
| 控溫精度 | ±1℃ |
| 溫度曲線 | 多段"時(shí)間—溫度曲線"任意可設(shè) |
| 測(cè)溫元件 | K型熱電偶 |
| 氣路系統(tǒng) | |
| 工作電壓 | 220V/50HZ |
| 輸出功率 | 18W |
| 工作溫度 | 5--45℃ |
| 氣壓 | 3*106Pa |
| 氣體通道 | 可同時(shí)連接多種氣源 |
| 流 量 計(jì) | 質(zhì)量流量計(jì) |
| A路量程 | 0～500SCCM |
| B路量程 | 0～500SCCM |
| C路量程 | 0～500SCCM |
| 氣路壓力 | -0.1～0.15 MPa |
| 截止閥 | 不銹鋼材質(zhì) |
| 氣體連接管 | 1/4不銹鋼管 |
| 等離子電源系統(tǒng) | |
| 射頻頻率 | 13.56 MHz ±0.005% |
| 功率范圍 | 0-100W、0-300W 、0-500W ± 1% |
| 射頻接口 | 50 Ω, N-type |
| 嗓聲 | ≤55DB |
| 冷卻 | 風(fēng)冷 |
| 輸入功率 | 1KW AC220V/50HZ |
| 數(shù)顯真空計(jì)及連接件 | |
| 數(shù)顯真空計(jì) | 數(shù)顯真空計(jì)安裝在不銹鋼法蘭上 |
| 真空泵組(相關(guān)連接配件) | |
| 真空泵 | 真空泵,及相應(yīng)連接管件 220V/50HZ |
| 汽化系統(tǒng) |
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蠕動(dòng)泵 | 精確度：+/- 0.5% FS 流量: 0 - 10 ml/min，可調(diào)，最小速率0.1ml/min 將吸液管放置在溶液容器中，蠕動(dòng)泵可自動(dòng)抽取液體 |
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