澤攸科技無掩膜光刻機是一種的光刻技術設備,它不需要使用傳統(tǒng)的物理掩膜版來轉移電路圖形,而是通過計算機控制的高精度光束直接在感光材料上進行掃描曝光,形成所需的微細圖形。目前在微電子制造、微納加工、MEMS、LED、生物芯片等領域有廣泛的應用。
技術特點
▲ 納米壓電位移臺拼接技術
▲ 紅光引導曝光,所見即所得
▲ OPC修正算法優(yōu)化圖形質量
▲ CCD相機逐場自動聚焦
▲ 灰度勻光技術
光路遠離結構圖
主要指標
關鍵技術指標 | ||
紫外光源中心波長 | 405nm | |
勻光率 | 96% | |
極限分辨率 | 0.5μm | |
單寫場曝光面積 | 1.2×0.9 mm2 (10×) 2.5×1.9 mm2 (5×) | |
刻寫速率 | 10 mm2/min (10x) 40 mm2/min (5x) | |
配置 | 手動版 | 標準版 |
光源 | 405 LED | 405 LED 或 汞燈光源 |
DMD芯片 | 6500 | 6500 |
微鏡尺寸 | 7.56μm | 7.56μm |
微鏡陣列 | 1920×1080 | 1920×1080 |
單寫場面積(10x) | 1.45×0.81mm | 1.45×0.81mm |
位移臺 | 手動位移臺 | 電動位移臺 |
離焦控制 | 手動聚焦 | 自動聚焦 |
大面積光刻 | 手動 | 自動拼接光刻 |
套刻 | 不支持 | 支持單場/多場套刻 |
灰度光刻 | 不支持 | 支持3D灰度光刻 |
應用案例
澤攸科技無掩膜光刻機在MEMS壓力傳感器制造中的應用
澤攸科技無掩膜光刻機在PtTe2/WS2/金字塔狀Si異質結構制備中的應用