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樂清市輝利電氣有限公司

主營(yíng)產(chǎn)品: 斷路器,接觸器,繼電器,接近開關(guān),光電開關(guān),變頻器,變壓器,低壓電器

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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1R5Y1
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1R5Y1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1R5Y1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
參考價(jià):面議 詢價(jià)留言
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X20MD1
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X20MD1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X20MD1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X14MD2
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X14MD2
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X14MD2高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X4MD1
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X4MD1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X4MD1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10D1-N
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10D1-N
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10D1-N高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2D1-N
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2D1-N
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2D1-N高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2MF1
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2MF1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2MF1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1R5F1
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1R5F1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1R5F1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-CR881
歐姆龍接近開關(guān)E2E-CR881
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-CR881高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-CR8C1
歐姆龍接近開關(guān)E2E-CR8C1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-CR8C1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X181
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X181
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X181高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1C2
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1C2
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1C2高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1C1
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1C1
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X1C1高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10ME1-Z
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10ME1-Z
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X10ME1-Z 高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5ME1-Z
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5ME1-Z
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X5ME1-Z高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2ME1-Z
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2ME1-Z
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2ME1-Z 高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
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歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2E-Z
歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2E-Z
簡(jiǎn)單介紹:歐姆龍接近開關(guān)E2E-X2E-Z 高頻振蕩器和放大處理電路組成,利用金屬物體在接近這個(gè)能產(chǎn)生電磁場(chǎng)的振蕩感應(yīng)頭時(shí),使物體內(nèi)部產(chǎn)生渦流。這個(gè)渦流反作用于接近開關(guān),使接近開關(guān)振蕩能力衰減,內(nèi)部電路的參數(shù)發(fā)生變化,由此識(shí)別出有無金屬物體接近,進(jìn)而控制開關(guān)的通或斷。這種接近開關(guān)所能檢測(cè)的物體必須是金屬物體。
產(chǎn)品型號(hào):   所在地:溫州市   更新時(shí)間:2015-04-29
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