1、全面腐蝕(均勻腐蝕)：
腐蝕分布于金屬整個表面，腐蝕電池的陰、陽極面積非常小，S陽 =S陰, 微陰極和微陽極的位置變換不定，整個金屬表面在溶液中都處于活化狀態(tài)。
局部腐蝕：腐蝕僅局限或集中在金屬的某一特定部位。陽極區(qū)和陰極區(qū)截然分開（宏觀上可分辨），S陽 ≤S陰, 陽極溶解反應(yīng)和陰極區(qū)腐蝕劑的還原反應(yīng)在不同區(qū)域發(fā)生。 全面腐蝕雖可造成金屬的大量損失，但其危害性遠不如局部腐蝕大，設(shè)計時可以考慮腐蝕的裕量。
2.產(chǎn)生孔腐蝕的條件是什么?點蝕破壞的特點有哪些?
產(chǎn)生孔腐蝕的條件:：
①點蝕多發(fā)生在表面易鈍化的金屬材料(如不銹鋼,Al,及Al合金)、或表面有陰極性鍍層(鍍Sn、Cu、Ni的碳鋼)表面上。
②點蝕發(fā)生在特殊離子的腐蝕介質(zhì)中如:含Cl －＞Br－＞I－的溶液中， 當(dāng)Cl －、Br－、I－超過某臨界濃度時點蝕發(fā)生。③點蝕發(fā)生在特定臨界電位φb之上
點蝕破壞的特點:
在金屬表面局部區(qū)域，出現(xiàn)向深處發(fā)展的腐蝕小孔(直徑數(shù)十微米，孔深度≥孔徑)，分散或密集分布在金屬表面上，孔口多數(shù)被腐蝕產(chǎn)物所覆蓋，其余部分不出現(xiàn)腐蝕或腐蝕很輕微。
易鈍化金屬鈍化膜的缺陷及活性離子的存在、陰極性鍍層存在孔隙是引起點蝕的主要原因.
點蝕是破壞性和隱患性zui大的腐蝕形態(tài)之一,僅次于應(yīng)力腐蝕破裂.
★點蝕發(fā)展形成閉塞電池的條件和機理是什么？
1.在反應(yīng)體系中具備阻礙液相傳質(zhì)過程的幾何條件，
2.有導(dǎo)致局部不同于整體的環(huán)境，
3.存在致局部不同于整體的電化學(xué)和化學(xué)反應(yīng)。
機理：“閉塞電池的形成" “活化—鈍化腐蝕電池"自催化理論
1.首先，蝕孔內(nèi)金屬M發(fā)生溶解，若環(huán)境為含Cl-水溶液，則陰極反應(yīng)為吸氧反應(yīng)，蝕孔內(nèi)氧濃度下降，蝕孔外氧富集，形成“供氧差異電池"。
2.孔內(nèi)金屬離子濃度不斷增加，蝕孔外部的Cl-向孔內(nèi)遷移。
3.孔內(nèi)形成的金屬鹽發(fā)生水解反應(yīng)（自己寫反應(yīng)式），孔內(nèi)的H+離子增加，酸度不斷升高，導(dǎo)致孔內(nèi)金屬離子實際處于HCl介質(zhì)中的活性溶解狀態(tài)，而蝕孔外溶液依然富氧，介質(zhì)維持原狀，表面依然維持鈍態(tài)，從而形成“活化—鈍化自催化腐蝕電池"。 蝕孔內(nèi)外形成閉塞電池：孔外：大陰極，孔內(nèi)：小陽極
3.簡述縫隙腐蝕的特征和機理?
1.縫隙腐蝕特征
幾乎所有的金屬和合金都會產(chǎn)生縫隙腐蝕。
幾乎所有的介質(zhì)，包括中性、酸性介質(zhì)都會引起縫隙腐蝕，但又以易鈍化金屬在充氣的含活性陰離子(如Cl-)的中性介質(zhì)zui易發(fā)生。 與點蝕相比,同一種材料更容易發(fā)生縫隙腐蝕當(dāng)φp＜φ＜φb時,不會產(chǎn)生新點蝕,原有點蝕可發(fā)展。當(dāng)仍然可以發(fā)生縫隙腐蝕。縫隙腐蝕的臨界電位比點蝕低。
2.縫隙腐蝕機理
氧濃差電池的形成促進縫隙腐蝕的開始；閉塞電池的形成，使蝕坑深化和擴展。
4.什么是電動序和電偶序，二者有什么差別？
電動序：標(biāo)準(zhǔn)電勢序，該電勢與實際金屬或合金在介質(zhì)中的電勢可能相差甚遠。
電偶序：腐蝕電勢序，是金屬或合金在一定條件下測得的穩(wěn)定電勢（非平衡電勢）的相對大小排列的次序。
電偶腐蝕與相互接觸的金屬在溶液中的實際電勢有關(guān)，由它構(gòu)成了宏觀腐蝕電池。產(chǎn)生電偶腐蝕的動力來自兩種不同金屬接觸的實際電勢差。一般說，兩種金屬的實際電勢差愈大，電偶腐蝕愈嚴重。從電偶序的大小可判斷材料偶合時的陰極和陽極。
5.什么是晶間腐蝕？分析產(chǎn)生晶間腐蝕的條件、原因?
金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿著晶粒邊界或它的鄰近區(qū)域產(chǎn)生的腐蝕，晶粒本身腐蝕很輕微。腐蝕從表面開始，沿著晶界向內(nèi)部發(fā)展，使晶粒間的結(jié)合力大大減小，嚴重時可使機械強度*喪失，造成設(shè)備突然破壞。不易檢測，危害性很大。
晶間腐蝕的產(chǎn)生必須具備兩個條件：
(1)晶界物質(zhì)的物理化學(xué)狀態(tài)與晶粒不同；
(2)特定的環(huán)境因素。如潮濕大氣、電解質(zhì)溶液、過熱水蒸氣、高溫水或熔融金屬等。
產(chǎn)生晶間腐蝕的原因:
①合金元素貧乏化。
②晶界析出不耐蝕的陽極相。
③雜質(zhì)或溶質(zhì)原子在晶界區(qū)偏析。
④晶界處因相鄰晶粒間的晶向不同、晶界的能量較高、位錯和空位富集等造成了晶界處松散的過渡性組織。
⑤由于新相析出或轉(zhuǎn)變，造成晶界處具有較大的內(nèi)應(yīng)力。
