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深圳三之川科技有限公司
參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)WSD81
品 牌
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地深圳市
聯(lián)系方式:王曉峰查看聯(lián)系方式
更新時(shí)間:2022-08-03 13:42:16瀏覽次數(shù):647次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 環(huán)保在線WSD81焊臺(tái),德國(guó)威樂(lè)數(shù)顯焊臺(tái),高回溫速度、智能控制、數(shù)字控溫焊臺(tái),自動(dòng)降溫,延長(zhǎng)烙鐵頭和發(fā)熱體的使用壽命
WSD81焊臺(tái),德國(guó)威樂(lè)數(shù)顯焊臺(tái)
WSD-81焊臺(tái),無(wú)鉛焊臺(tái),WSD81數(shù)顯電焊臺(tái) WELLERWSD-81焊臺(tái),WSD-81焊臺(tái)大功率、高回溫速度、智能控制、數(shù)字控溫焊臺(tái)
1. 內(nèi)置芯片,智能恒溫焊臺(tái)。
2. 端對(duì)端的導(dǎo)熱方式,*提高了導(dǎo)熱能力及回溫速度,15秒內(nèi)升溫到350度。
3. 貴金屬材質(zhì)制作的發(fā)熱體,*提高了溫度補(bǔ)償能力.
4. 設(shè)計(jì)的烙鐵頭,即使是0201元器件也能*焊接
5. 自動(dòng)降溫,延長(zhǎng)烙鐵頭和發(fā)熱體的使用壽命。
6. 可選配預(yù)熱板,電烙鑷子等多種工具,是一個(gè)小型的維修臺(tái)。
7. 具有自我校準(zhǔn)功能,用戶一般一個(gè)季度或半年需要校準(zhǔn)溫度一次。
8. 通過(guò)編程器WCB2,可以設(shè)置自動(dòng)降溫、溫度鎖定、溫度補(bǔ)償、溫度校準(zhǔn)等功能
9. 體積小,節(jié)約工作空間。
10. 防靜電,保障精密組件。
型號(hào) | | WSD81/WS81 | |
功率 | 95W | 焊筆 | WSP80 |
工作電壓 | 220V 50Hz,輸出24V | 功率 | 80W |
溫度范圍 | 50℃~440℃ | 電線長(zhǎng)度 | 1.22M |
空載溫漂 | ±2℃ | 支架 | WPH80 |
溫度準(zhǔn)確性 | ±2% | 可選烙鐵頭系列 | LT系列 |
焊嘴接地電阻 | ≤2Ω | | |
焊嘴電壓 | ≤2mV | | |
ESD | YES | | |
型號(hào) | | WSD81/WS81 | |
功率 | 95W | 焊筆 | WSP80 |
工作電壓 | 220V 50Hz,輸出24V | 功率 | 80W |
溫度范圍 | 50℃~440℃ | 電線長(zhǎng)度 | 1.22M |
空載溫漂 | ±2℃ | 支架 | WPH80 |
溫度準(zhǔn)確性 | ±2% | 可選烙鐵頭系列 | LT系列 |
焊嘴接地電阻 | ≤2Ω | | |
焊嘴電壓 | ≤2mV | | |
ESD | YES | | |
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IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí),漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。WSD81焊臺(tái)與GTR的輸出特性相似。也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT,正向電壓由J2結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平,WSD81焊臺(tái),德國(guó)威樂(lè)數(shù)顯焊臺(tái)因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。
LED作為新型綠色照明技術(shù),WSD81焊臺(tái)其光效高、能耗低、壽命長(zhǎng)、光衰小等優(yōu)點(diǎn),逐漸被應(yīng)用于各種領(lǐng)域。特別是LED向消費(fèi)者提出的25年無(wú)需更換的承諾,更是成為LED的一個(gè)zui大的賣(mài)點(diǎn)。因此,如何提高LED使用壽命,就成為設(shè)計(jì)者必須注重的問(wèn)題。本期大講臺(tái)為你解析如何去提高LED壽命。
IGBT的開(kāi)關(guān)特性是指WSD81焊臺(tái)漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí),由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其B值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu),但流過(guò)MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時(shí),通態(tài)電壓Uds(on)可用下式表示
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