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WSD81焊臺(tái),德國(guó)威樂(lè)數(shù)顯焊臺(tái)

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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)WSD81

品       牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

聯(lián)系方式:王曉峰查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2022-08-03 13:42:16瀏覽次數(shù):647次

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經(jīng)營(yíng)模式:代理商

商鋪產(chǎn)品:53條

所在地區(qū):廣東深圳市

聯(lián)系人:王曉峰 (業(yè)務(wù)員)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

WSD81焊臺(tái),德國(guó)威樂(lè)數(shù)顯焊臺(tái),高回溫速度、智能控制、數(shù)字控溫焊臺(tái),自動(dòng)降溫,延長(zhǎng)烙鐵頭和發(fā)熱體的使用壽命

詳細(xì)介紹

WSD81焊臺(tái),德國(guó)威樂(lè)數(shù)顯焊臺(tái) 

WSD-81焊臺(tái),無(wú)鉛焊臺(tái),WSD81數(shù)顯電焊臺(tái) WELLERWSD-81焊臺(tái),WSD-81焊臺(tái)大功率、高回溫速度、智能控制、數(shù)字控溫焊臺(tái) 

1. 內(nèi)置芯片,智能恒溫焊臺(tái)。 

2. 端對(duì)端的導(dǎo)熱方式,*提高了導(dǎo)熱能力及回溫速度,15秒內(nèi)升溫到350度。 

3. 貴金屬材質(zhì)制作的發(fā)熱體,*提高了溫度補(bǔ)償能力

4. 設(shè)計(jì)的烙鐵頭,即使是0201元器件也能*焊接 

5. 自動(dòng)降溫,延長(zhǎng)烙鐵頭和發(fā)熱體的使用壽命。 

6. 可選配預(yù)熱板,電烙鑷子等多種工具,是一個(gè)小型的維修臺(tái)。 

7. 具有自我校準(zhǔn)功能,用戶一般一個(gè)季度或半年需要校準(zhǔn)溫度一次。 

8. 通過(guò)編程器WCB2,可以設(shè)置自動(dòng)降溫、溫度鎖定、溫度補(bǔ)償、溫度校準(zhǔn)等功能 

9. 體積小,節(jié)約工作空間。 

10. 防靜電,保障精密組件。

型號(hào)

 

WSD81/WS81

 

功率

95W

焊筆

WSP80

工作電壓

220V 50Hz,輸出24V

功率

80W

溫度范圍

50℃~440℃

電線長(zhǎng)度

1.22M

空載溫漂

 ±2℃

支架

WPH80

溫度準(zhǔn)確性

 ±2%

可選烙鐵頭系列

LT系列

焊嘴接地電阻

≤2Ω

 

 

焊嘴電壓

≤2mV

 

 

ESD

YES 

型號(hào)

 

WSD81/WS81

 

功率

95W

焊筆

WSP80

工作電壓

220V 50Hz,輸出24V

功率

80W

溫度范圍

50℃~440℃

電線長(zhǎng)度

1.22M

空載溫漂

 ±2℃

支架

WPH80

溫度準(zhǔn)確性

 ±2%

可選烙鐵頭系列

LT系列

焊嘴接地電阻

≤2Ω

 

 

焊嘴電壓

≤2mV

 

 

ESD

YES 

 

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IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí),漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。WSD81焊臺(tái)與GTR的輸出特性相似。也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT,正向電壓由J2結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平,WSD81焊臺(tái),德國(guó)威樂(lè)數(shù)顯焊臺(tái)因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。

LED作為新型綠色照明技術(shù),WSD81焊臺(tái)其光效高、能耗低、壽命長(zhǎng)、光衰小等優(yōu)點(diǎn),逐漸被應(yīng)用于各種領(lǐng)域。特別是LED向消費(fèi)者提出的25年無(wú)需更換的承諾,更是成為LED的一個(gè)zui大的賣(mài)點(diǎn)。因此,如何提高LED使用壽命,就成為設(shè)計(jì)者必須注重的問(wèn)題。本期大講臺(tái)為你解析如何去提高LED壽命。

IGBT的開(kāi)關(guān)特性是指WSD81焊臺(tái)漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí),由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其B值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu),但流過(guò)MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時(shí),通態(tài)電壓Uds(on)可用下式表示

關(guān)鍵詞:芯片 貴金屬 綠色照明

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