一、MB芯片
定義：MetalBONding(金屬粘著)芯片;該芯片屬于UEC的產(chǎn)品。
特點：
1：采用高散熱系數(shù)的材料---Si作為襯底、散熱容易。
2：通過金屬層來接合(waferbonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收。
3:導電的Si襯底取代GaAs襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數(shù)相差3~4倍)，更適應(yīng)于高驅(qū)動電流領(lǐng)域。
4:底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱
5:尺寸可加大、應(yīng)用于Highpower領(lǐng)域、eg:42milMB
二、GB芯片
定義：GlueBonding(粘著結(jié)合)芯片;該芯片屬于UEC的產(chǎn)品
特點：
1：透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底、其出光功率是傳統(tǒng)AS(AbsorbableSTructure)芯片的2倍以上、藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底。
2：芯片四面發(fā)光、具有出色的Pattern
3：亮度方面、其整體亮度已超過TS芯片的水準(8.6mil)
4：雙電極結(jié)構(gòu)、其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片
三、TS芯片
定義：transparentstructure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP的產(chǎn)品。
特點：
1：芯片工藝制作復雜、遠高于ASLED
2：信賴性
3：透明的GaP襯底、不吸收光、亮度高
4：應(yīng)用廣泛
四、AS芯片
定義：Absorbablestructure(吸收襯底)芯片;
經(jīng)過近四十年的發(fā)展努力、中國臺灣發(fā)光二級管光電業(yè)界對于該類型芯片的研發(fā)﹑生產(chǎn)﹑銷售處于成熟的階段、各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水準、差距不大。
大陸芯片制造業(yè)起步較晚、其亮度及可靠度與中國臺灣業(yè)界還有一定的差距、在這里我們所談的AS芯片、特指UEC的AS芯片、eg:712SOL-VR,709SOL-VR,712SYM-VR,709SYM-VR等
特點：
1：四元芯片、采用MOVPE工藝制備、亮度相對于常規(guī)芯片要亮
2：信賴性優(yōu)良
3：應(yīng)用廣泛
拓展光電擁有十多年的LED發(fā)光二極管及LED元器件經(jīng)驗的制造商，專業(yè)制造的LED燈珠，貼片LED燈珠，插件LED燈珠，選購貼片LED燈珠，插件LED燈珠
