污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲(chǔ)水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
沈陽西諾爾電氣有限公司
閱讀:344發(fā)布時(shí)間:2017-11-29
接《固態(tài)軟起動(dòng)器用散熱器選型與工藝要求(上)》的文章
2、可控硅在使用中的耗散功率分析與散熱器的選型
固態(tài)軟起動(dòng)采用反并聯(lián)方式在使用過程中,每個(gè)周期在不斷導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)都會(huì)產(chǎn)生功耗。從以上可控硅散熱傳導(dǎo)分析,為使可控硅能夠長期可靠地運(yùn)行,就需要對電氣主回路中可控硅耗散功率進(jìn)行計(jì)算。在電氣主回路中,理論狀態(tài)下,不論是高壓固態(tài)還是低壓固態(tài)在通電時(shí),可控硅在處于關(guān)斷時(shí),其兩端的電壓較高,但電流為零,則其產(chǎn)生功耗為零;當(dāng)可控硅處于導(dǎo)通時(shí)流過它的電流較大,但其兩端的電壓降為零,所以功耗也為零。也就是說,理論狀態(tài)下可控硅的效率為100%,無損耗。但實(shí)際使用中可控硅在關(guān)斷時(shí),其兩端的電壓zui高,但電流不為零,總有一定的反向穿透電流I0,則其關(guān)斷時(shí)的功耗為:
POFF=UCE*I0
其中POFF:可控硅在關(guān)斷的功耗,W;
UCE:可控硅集電極-發(fā)射極之間或陽極-陰極之間的電壓,V;
I0:可控硅的反向穿透電流,A。
由于目前常用的可控硅大多數(shù)是使用硅材料制造的,其反向穿透電流一般為微安級,所以半導(dǎo)體功率開關(guān)器件在關(guān)斷時(shí)的功耗實(shí)際上是很小的,一般為毫瓦級。
實(shí)際的可控硅在導(dǎo)通時(shí),其兩端的電壓很低,稱為導(dǎo)通壓降(管壓降),對于常用的可控硅大約為2.5V(因制造工藝與材料的不同,進(jìn)口與國產(chǎn)可控硅的壓降范圍也不一樣),但由于導(dǎo)通電流一般很大,約為幾十安至幾百安,所以其導(dǎo)通時(shí)的功耗一般為幾十瓦到幾百瓦。實(shí)際的可控硅在導(dǎo)通時(shí),其功耗為
PON=US*IS
其中PON:可控硅在導(dǎo)通時(shí)的功耗,W;
US: 可控硅導(dǎo)通壓降,V;
IS: 可控硅的導(dǎo)通電流,A。
可控硅在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換時(shí)需要經(jīng)過一個(gè)中間過程,這個(gè)過程的電壓和電流均較大,如果開關(guān)器件的開關(guān)特性良好,則這個(gè)過程時(shí)間很短,功耗較?。蝗绻_關(guān)器件的開關(guān)特性較差,則這個(gè)過程時(shí)間較長,功耗較大。
當(dāng)電機(jī)從“0”轉(zhuǎn)速運(yùn)行到額定轉(zhuǎn)速過程中,固態(tài)軟起動(dòng)中的可控硅經(jīng)過數(shù)次導(dǎo)通與關(guān)斷,其導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)的功耗增加,自身的溫度也隨之升高,當(dāng)升高到一定值時(shí),PN結(jié)將破壞而使器件失效??煽毓璨牧掀骷臉O限工作溫度一般規(guī)定為150℃,為了使可控硅器件能夠在較高溫度下正常工作,并能把可控硅工作時(shí)發(fā)出的熱量及時(shí)散發(fā)到周圍環(huán)境中去,并且將其工作溫度維持在極限工作溫度以下,可控硅就可以在安全的環(huán)境之中運(yùn)行。在從以上可控硅散熱傳導(dǎo)分析中可以看出,其自身內(nèi)部各器件所產(chǎn)生的熱阻抗與耗散功率一般熱學(xué)設(shè)計(jì)常使用下面的公式進(jìn)行計(jì)算:
∑Rth= Rth(j-c) + Rth(c-s) + Rth(s-a)
△T=Tj- Ta
Pcm=
其中∑Rth:器件傳熱系統(tǒng)下熱阻總和,℃/W;
Rth(j-c):P-N結(jié)熱阻,℃/W;
Rth(c-s):殼和散熱器接觸的熱阻,℃/W;
Rth(s-a):散熱器熱阻,℃/W;
△T:器件zui高工作結(jié)溫與環(huán)境溫度差,℃;
Tj :器件zui高工作結(jié)溫,℃;(視器件不同而不同,可控硅:125℃ ,整流管:150℃);
Ta :環(huán)境溫度,℃;(風(fēng)冷時(shí)規(guī)定為35℃,水冷時(shí)規(guī)定為40℃);
Pcm :耗散功率,W;
通過查找器件熱阻、接觸熱阻以及計(jì)算出的可控硅在使用工況(導(dǎo)通與關(guān)斷)時(shí)的耗散功率,并根據(jù)以上公式的計(jì)算,可得出所需散熱器的熱阻。從而經(jīng)查散熱器單位熱阻,可計(jì)算出散熱器散熱面積。并請可控硅制造廠家驗(yàn)證選型的散熱器容量是否滿足使用要求,一般選型時(shí),實(shí)際計(jì)算出的散熱器需放大1.5~2倍左右,zui后完成該產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
未完待續(xù)......
更多關(guān)于軟起動(dòng)器的相關(guān)文章關(guān)注公眾號:西諾爾電氣,西諾爾主要經(jīng)營高低壓軟起動(dòng)器,變頻器等。
環(huán)保在線 設(shè)計(jì)制作,未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ?
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗(yàn)證碼
請輸入你感興趣的產(chǎn)品
請簡單描述您的需求
請選擇省份