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Analog Devices開(kāi)關(guān)ADGM1121

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

產(chǎn)品介紹ADGM1121是一種寬帶雙極雙擲（DPDT）開(kāi)關(guān)，采用AnalogDevices的微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）開(kāi)關(guān)技術(shù)制造

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品介紹

ADGM1121是一種寬帶雙極雙擲（DPDT）開(kāi)關(guān)，采用Analog Devices的微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）開(kāi)關(guān)技術(shù)制造。這項(xiàng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了一種小尺寸、寬射頻帶寬、高線性和低插入損耗的開(kāi)關(guān)，其工作頻率低至0 Hz/DC，是滿足各種射頻和精密設(shè)備切換需求的理想解決方案。

集成驅(qū)動(dòng)器芯片產(chǎn)生高電壓以靜電致動(dòng)開(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)可以由并行接口和串行外圍接口（SPI）控制。所有開(kāi)關(guān)都是可獨(dú)立控制的。

該器件封裝在一個(gè)24引線、5毫米×4毫米×1毫米陸柵陣列（LGA）封裝中。為確保ADGM1121的運(yùn)行，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表的“關(guān)鍵運(yùn)行要求”部分。

ADGM1121的導(dǎo)通電阻（RON）性能受部件間變化、通道間變化、周期驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通后的穩(wěn)定時(shí)間、偏置電壓和溫度變化的影響。

性能特點(diǎn)