一·真空生長爐 科研對(duì)晶體生長過程 設(shè)備用途

　　設(shè)備主要用于科研對(duì)晶體生長過程，可用于制備氧化物單晶和金屬單晶晶體制備，如藍(lán)寶石、GGG，YAG，LaAlO3，Si和Ge等

二·真空生長爐 科研對(duì)晶體生長過程  產(chǎn)品特點(diǎn)

1·模塊化設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)緊湊，外形美觀，

2·采用側(cè)部開門，結(jié)構(gòu)精巧，方便，移動(dòng)平穩(wěn)裝卸料方便

3· 采用觸摸屏+plc控制方式，自動(dòng)化程度高，操作直觀，功能強(qiáng)大。

4· 在觸摸屏內(nèi)可預(yù)存幾十種燒結(jié)工藝，一次編輯，以后直接調(diào)用使用，省去多次編輯工藝的麻煩，避免輸入錯(cuò)誤，燒壞產(chǎn)品。

5· 燒結(jié)的溫度，真空度，等數(shù)據(jù)可實(shí)時(shí)記錄，也可隨時(shí)啟動(dòng)停止記錄，減少無用數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)可查詢，可導(dǎo)出下載。

6· 燒結(jié)溫度高，用石墨坩堝，最高可達(dá)2100℃，

三·設(shè)備參數(shù)

1·設(shè)備總功率：≤35Kw；電源電壓：3相380V,50Hz

2·最高溫度：2100℃ 加熱功率 ≤25Kw 三相380V 30-80KHz 高頻感應(yīng)加熱

3·額定溫度：室溫~2100℃

4. 感應(yīng)線圈尺寸：Ф90×100mm（直徑×高，） 中間設(shè)置保溫層坩堝底放置線圈內(nèi)部，防止底部材料固化。

6·腔體尺寸臥式Ф400Ф500mm（暫定）

7.測(cè)溫系統(tǒng)： 在坩堝側(cè)部設(shè)計(jì)測(cè)溫孔 配置紅外測(cè)溫儀和歐陸程序儀表

9. 提拉速度：              慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）

10. 提拉桿旋轉(zhuǎn)速度0.1-25r/min

11. 提拉桿升降快速速度：≤35mm/min

12. 提拉行程：≤300mm

13. 爐內(nèi)充氣壓力：≤0.03MPa

14. 冷態(tài)極限真空度：6.7*10^-4pa（配置真空計(jì)，真空規(guī)管配置油陶瓷防腐涂層）