上海伯東代理美國進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準(zhǔn)第三層?xùn)艠O. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積.

詳細介紹

KRI 考夫曼離子源 KDC 40
上海伯東代理美國進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準(zhǔn)第三層?xùn)艠O. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預(yù)清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術(shù)參數(shù)

型號	KDC 40
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	1
- 陽極電壓	0-100V DC
電子束	OptiBeam™
- 柵極	專用, 自對準(zhǔn)
-柵極直徑	4 cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1202
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架構(gòu)	移動或快速法蘭
- 高度	6.75'
- 直徑	3.5'
- 離子束	集中平行散設(shè)
-加工材料	金屬電介質(zhì) 半導(dǎo)體
-工藝氣體	惰性活性混合
-安裝距離	6-18"
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生