殘余氣體分析儀 其核心部分是一個激光檢測裝置，其中的氦氖激光器可以發(fā)射一種安全的低功率單波激光到一個氣體測試腔內(nèi)。由于激光能量微弱，裝置內(nèi)部通過檢測腔兩端的反射鏡不斷進行反射，將能量放大1000倍左右。光子與氣體分子發(fā)生碰撞后發(fā)生散射，產(chǎn)生一種不同于激光頻譜的光譜，而且不同分子散射出來的光譜是特定不相同的，這就是我們所稱的“拉曼散射光譜”。檢測腔內(nèi)壁裝有8個光學濾波器和光電傳感器，用來吸收和檢測不同分子的特定光譜頻率，從而得到8種不同待測氣體成分含量。根據(jù)這種原理，每種待測氣體的含量都是通過直接測量得到的，不需要任何的導算；RLGA的檢測精度更高；反應速度更快.

殘余氣體分析儀

  一臺氣體分析儀或一套氣體分析系統(tǒng)相當于一套完整的化工工藝設(shè)備，因此，氣體分析儀器系統(tǒng)工作過程就是在實現(xiàn)一系列的化工過程。若想通過氣體分析得到準確數(shù)據(jù)，就必須了解這一系列化工過程中各階段的情況及變化，認真研究并掌握其中的規(guī)律，只有這樣才能達到準確測定的目的。

  DLAS技術(shù)本質(zhì)上是一種光譜吸收技術(shù)，通過分析激光被氣體的選擇性吸收來獲得氣體的濃度。它與傳統(tǒng)紅外光譜吸收技術(shù)的不同之處在于，半導體激光光譜寬度遠小于氣體吸收譜線的展寬。因此，DLAS技術(shù)是一種高分辨率的光譜吸收技術(shù)，半導體激光穿過被測氣體的光強衰減可用朗伯-比爾（Lambert-Beer）定律表述式得出，關(guān)系式表明氣體濃度越高，對光的衰減也越大。因此，可通過測量氣體對激光的衰減來測量氣體的濃度。

  分析儀按照光學系統(tǒng)劃分，可分為雙光路和單光路兩種：

（1）雙光路：從兩個相同光源或一個精確分配的單光源，發(fā)出兩路彼此平行的光束，分別通過分析氣室后和參比氣室后進入檢測器。

（2）單光路：從光源發(fā)出單束紅外光，利用切光裝置將紅外光調(diào)制成不同波長的光束，輪流通過分析氣室進入檢測器。

  質(zhì)譜分析法是利用不同離子在電場或者磁場中運動軌跡的不同，把離子按質(zhì)荷比分離而得到質(zhì)量圖譜，可以得到樣品的定性定量結(jié)果。質(zhì)譜儀按照常用的質(zhì)量分離器不同可分為掃描磁扇式磁場質(zhì)譜儀和四極質(zhì)譜儀，飛行時間質(zhì)譜儀等幾種類型。目前工業(yè)應用上通常采用的是掃描磁扇式質(zhì)譜儀。四極質(zhì)譜儀的靈敏度高，適合實驗室或科學研究。掃描磁扇式的穩(wěn)定性和重復性較高，適合工業(yè)應用。

不僅在一臺氣體分析儀器內(nèi)部具備一套化工工藝過程的同樣情況和條件，而且，有時在儀器前級的樣氣預處理部分（含取樣系統(tǒng)）也同樣是一套化工工藝過程。如遇到較復雜、較特殊的工藝技術(shù)條件的話，那么樣氣預處理系統(tǒng)所體現(xiàn)的化工過程還是非常復雜的，相當于一個小化工廠的凈化處理工藝過程。由此可見，氣體分析的過程就是在了解并掌握整個化工過程系統(tǒng)條件的前提下，嚴格控制各種影響測定條件的因素，從而得到工藝及管理人員所需要的準確數(shù)據(jù)。