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MDPpicts光感應電流瞬態(tài)圖譜檢測

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更新時間：2020-08-21 16:26:40瀏覽次數(shù)：436次

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微波探測的MDPpicts光感應電流瞬態(tài)圖譜檢測，非接觸且無損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測量以及半導體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征。

詳細介紹

MDPpicts光感應電流瞬態(tài)圖譜檢測

Microwave Detected Photo Induced Current Transient Spectroscopy

微波探測的MDPpicts光感應電流瞬態(tài)圖譜檢測，非接觸且無損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測量以及半導體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征。

應用行業(yè)：半導體材料基礎研究與開發(fā)

靈敏度：對電子缺陷表征的靈敏度

圖1. 與溫度有關的載流子發(fā)射瞬態(tài)

溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度
衰變常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
污染測定：測量基礎的陷阱能級：陷阱的活化能和俘獲截面，基于溫度和注入的壽命測定
重復性：> 99.5%，測量時間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
彈性：可從不同波長(從365nm到1480nm)選擇不同種類的材料
可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠程操作和

從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能。

利用這種新型的商用MDPpicts設備，可以在20~500k范圍內測量溫度依賴性的光電導瞬態(tài)。在過去，Si, GaAs, InP, SiC和更多的半導體已經(jīng)成功采用了這種方法進行研究。