薄膜漆膜擊穿電壓測試儀多級循環(huán)電壓采集技術(shù):材料擊穿后,瞬間放電速度約為光速的1/5~1/3,國際通用的方法為壓降法進行采集擊穿電壓。即變壓器的初級電壓瞬間下降一定比率來判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產(chǎn)生偏差。而采用多級循環(huán)采集技術(shù)對擊穿后的電壓采集將解決此難題。

詳細介紹

薄膜漆膜擊穿電壓測試儀GB/T 3333-1999《電纜紙工頻擊穿電壓試驗方法》1 范圍

GB/T 13542的本部分規(guī)定了電氣絕緣用薄膜的定義、一般要求、尺寸、檢驗規(guī)則和標(biāo)志、包裝、運

輸和貯存。

本部分適用于電氣絕緣用薄膜，

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過GB/T 13542的本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文

件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本部分,然而,鼓勵根據(jù)本部分達成

協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的版本。凡是不注日期的引用文件,其版本適用于本

部分。

GB/T 13542.2-2009電氣絕緣用薄膜第2部分:試驗方法(IEC60674-2:1988,MOD)

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本部分。

3.1

卷繞性windability

薄膜的卷繞性用于評定成卷薄膜的變形情況,可由偏移/弧形和凹陷兩方面衡量。

3.1.1

偏移/弧形bias-camber

當(dāng)薄膜平整地打開時,其邊緣不呈直線(偏移或弧形)、

3.1.2

凹陷

sag

當(dāng)一段薄膜由兩個呈水平位置的平行輥支撐并承受一定張力的情況下,其中有部分薄膜會低于總

的水平面。接頭耐熱性或耐溶劑性等特殊要求應(yīng)由供需雙方協(xié)商。

4.4管芯

薄膜應(yīng)卷在圓形管芯上,管芯在卷繞拉伸下應(yīng)不掉屑、坍塌或歪扭,也不應(yīng)損壞薄膜或使其性能降

低。管芯的所有性能和尺寸及其偏差由供需雙方協(xié)商,管芯的優(yōu)選內(nèi)徑為76 mm和152 mm,管芯可以

伸出膜卷的端部,或者與端部平齊。

5尺寸

5.1厚度

按GB/T 13542.2-2009第4章所述的方法測定厚度,除非在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中另有規(guī)定,且測得的厚度

應(yīng)在標(biāo)稱值±10%范圍內(nèi)。

5.2寬度

寬度應(yīng)在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定,按GB/T 13542.22009第6章規(guī)定的方法測定的寬度，除非產(chǎn)品標(biāo)

準(zhǔn)另有規(guī)定,其允許偏差應(yīng)符合表1的規(guī)定。

表1薄膜寬度

單位為毫米

寬度

偏差

≤50

±0.5

>50~300

±1.0

>300~450

±2.0

>450

±4.0

5.3長度

對長度的要求由產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。

6檢驗規(guī)則GB/T 13542《電氣絕緣用薄膜)分為以下幾個部分:

一第1部分:定義和一般要求;

一一第2部分:試驗方法;

一第3部分:電容器用雙軸定向聚丙烯薄聵;

一第4部分:聚酯薄膜

.…。

本部分為GB/T13542的第1部分。

本部分修改采用IEC60674-1:1980《電氣用塑料薄膜第1部分:定義和一般要求(英文版)。

本部分與IEC60674-1的主要技術(shù)差異如下:

1)增加了“規(guī)范性引用文件"章;

2)增加了“檢驗規(guī)則"章。

本部分代替GB/T 13542-1992《電氣用塑料薄膜一般要求》,

本部分與GB/T 13542-1992相比主要差異如下:

1)將“引用標(biāo)準(zhǔn)"改為“規(guī)范性引用文件"

2)定義3.1.1中“偏斜"改為“偏移/弧形"。

本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出。

本部分由全國絕緣材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(SAC/TC51)歸口，

本都分起草單位:桂林電器科學(xué)研究所,東材科技集團股份有限公司。

本部分主要起草人:王先修、趙平。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:

GB/T13542-1992。

6.1薄膜應(yīng)進行出廠檢驗和型式檢驗。

6.2型式檢驗項目為產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中技術(shù)要求規(guī)定的全部項目，每三個月至少進行一次。當(dāng)原材料變更

或工藝條件改變時,也應(yīng)進行型式檢驗。

6.3產(chǎn)品批量、抽樣方法和出廠檢驗項目在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定，每批薄膜應(yīng)進行出廠檢驗,產(chǎn)品經(jīng)檢驗

合格才能出廠。制造廠應(yīng)保證出廠產(chǎn)品符合產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中全部技術(shù)要求。

6.4當(dāng)試驗結(jié)果中任何一項不符合技術(shù)要求時,應(yīng)在該批薄膜另外二卷中各取一組試樣重復(fù)該項試

驗,如仍有一組不符合要求時,該批薄膜為不合格品。

6.5使用單位可按產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的全部或部分項目進行驗收檢驗。預(yù)處理條件按GB/T13542.2-2009

中3.2要求進行。

6.6使用單位有要求時,制造廠應(yīng)提供產(chǎn)品檢驗報告。

7標(biāo)志、包裝、運輸和貯存

7.1薄膜卷要用防潮紙或塑料薄膜包裹,外層套裝塑料袋,并架空支撐放置于包裝箱中,使薄膜在通常

的貯存和運輸條件下得到充分保護而不受損壞和變質(zhì)。

7.2每箱薄膜應(yīng)有明顯而牢固的標(biāo)志:

TVS瞬間抑制防護技術(shù)

● 低通濾波電流監(jiān)測技術(shù):

高壓壓放電過程中將產(chǎn)生高頻信號。而無論是國產(chǎn)與進口電流采集傳感器,大都為工頻電流傳感器。而采集過程中無法將高頻信號處理時,從而造成檢測不準(zhǔn)確。無論是采用磁通門或霍爾原理所設(shè)計的傳感器存在擊穿后瞬間輸出電壓或電流信號過大,從而燒壞控制系統(tǒng)的采集部分。華測開發(fā)的低濾波電流采集傳感器將高頻雜波信號進行相應(yīng)處理。同流采集華測自主開發(fā)的保護模塊來保證采集精度與保護采集元件。

● 雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)及隔離屏蔽技術(shù):

采用雙系統(tǒng)互鎖技術(shù)應(yīng)用于電擊穿儀器,華測生產(chǎn)的電壓擊穿儀器不僅具備過壓、過流保護系統(tǒng),它*的雙系統(tǒng)互鎖機制,當(dāng)任何元器件出現(xiàn)問題或單系統(tǒng)出現(xiàn)故障時,將瞬間切斷高壓。

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