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載流子濃度遷移率測(cè)試儀

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  • 所在地 上海市

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更新時(shí)間:2022-08-22 15:06:30瀏覽次數(shù):960

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加工定制 類(lèi)型 其他
載流子濃度遷移率測(cè)試儀機(jī)半導(dǎo)體材料,有機(jī)半導(dǎo)體材料OLED等;?*有機(jī)太陽(yáng)能電池OPV;?*鈣鈦礦太陽(yáng)能電池Perovskite Solar Cell;?*無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池(例如:?jiǎn)尉Ч?、多晶硅、非晶硅等硅基太?yáng)能電池);?*染料敏化太陽(yáng)能電池DSSC;

詳細(xì)介紹

載流子濃度遷移率測(cè)試儀主要應(yīng)用:

?*無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料,有機(jī)半導(dǎo)體材料OLED等;?*有機(jī)太陽(yáng)能電池OPV;?*鈣鈦礦太陽(yáng)能電池Perovskite Solar Cell;?*無(wú)機(jī)太陽(yáng)能電池(例如:?jiǎn)尉Ч琛⒍嗑Ч?、非晶硅等硅基太?yáng)能電池);?*染料敏化太陽(yáng)能電池DSSC;

載流子濃度遷移率測(cè)試儀主要測(cè)量功能:

*大功率點(diǎn)MMP,F(xiàn)F,Voc,Isc,遷移率,理想因子(空間電荷限制電流SCLC法)?*電子與空穴遷移率,載流子俘獲動(dòng)力學(xué)過(guò)程(瞬態(tài)光電流法)?*電子與空穴的復(fù)合,載流子俘獲動(dòng)力學(xué)過(guò)程(瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開(kāi)路電壓法)?*俘獲動(dòng)力學(xué)過(guò)程(雙脈沖瞬態(tài)光電流)?*載流子遷移率(暗注入瞬態(tài)法)?*串聯(lián)電阻,幾何電容,RC時(shí)間(電壓脈沖法)?*參雜密度,電容率,串聯(lián)電阻,載流子遷移率(暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法)?*載流子遷移率,載流子密度(光照線性增加載流子瞬態(tài)法)?*載流子復(fù)合過(guò)程,朗之萬(wàn)函數(shù)復(fù)合前因子(時(shí)間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法)?*不同工作點(diǎn)的載流子強(qiáng)度,載流子遷移率(注入線性增加載流子瞬態(tài)法)?*幾何電容,電容率(MIS線性增加載流子瞬態(tài)法)?*載流子遷移率,陷阱強(qiáng)弱度,等效電路(阻抗譜測(cè)試)?*遷移率,陷阱強(qiáng)弱度,電容,串聯(lián)電阻(電容VS頻率)?*內(nèi)建電壓,參雜濃度,注入勢(shì)壘,幾何電容(電容VS電壓)?*發(fā)射開(kāi)關(guān)電壓(電流電壓照度特性)?*發(fā)光壽命,載流子遷移率(瞬態(tài)電致發(fā)光法)

測(cè)量技術(shù):

1)IV/IVL特性:IV和IVL曲線是針對(duì)OLED和OPV標(biāo)準(zhǔn)的量測(cè)手法,通過(guò)曲線可以得到樣品的電流電壓特性關(guān)系、電流電壓與光強(qiáng)的特性關(guān)系;

*對(duì)于太陽(yáng)能電池可通過(guò)空間電荷限制電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等; 

 

2)瞬態(tài)光電流響應(yīng)法(Transient Photocurrent ):研究器件內(nèi)電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過(guò)程和載流子遷移率等;

 

3)瞬態(tài)光電壓(Transient Photovoltage):研究器件內(nèi)部電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過(guò)程和復(fù)合過(guò)程;

 

4)雙脈沖瞬態(tài)光電流(Double Transient Photocurrent):分析電荷載流子俘獲動(dòng)態(tài)過(guò)程;

 

5)暗注入瞬態(tài)法(Dark Injection):電荷載流子遷移率分析;

 

6)電壓脈沖法(Voltage Pulse):串聯(lián)電阻、幾何電容和RC效應(yīng)分析;

 

7)暗態(tài)線性增壓載流子瞬態(tài)法(Dark-CELIV):參雜濃度、相對(duì)介電常數(shù)、串聯(lián)電阻、電荷載流子遷移率測(cè)量;

 

8)光照線性增壓載流子瞬態(tài)法(Photo-CELIV):提取有機(jī)太陽(yáng)能電池片內(nèi)載流子遷移率mobility ,以及載流子濃度分析等;

 

9)時(shí)間延遲線性增壓載流子瞬態(tài)法(Delaytime-CELIV):復(fù)合動(dòng)態(tài)過(guò)程分析和郎之萬(wàn)復(fù)合因子分析等;

 

10)注入線性增壓載流子瞬態(tài)法(Injection-CELIV):電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測(cè)量分析;

 

11)MIS-CELIV:幾何電容和相對(duì)介電常數(shù)分析;

 

12)阻抗譜測(cè)量(Impedance Spectroscopy):量測(cè)器件內(nèi)電荷載流子遷移率和載流子俘獲動(dòng)態(tài)過(guò)程等;

 

13)電容頻率測(cè)量法(C-f): 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯(lián)電阻測(cè)量;

 

14)電容電壓測(cè)量法(C-V):內(nèi)建電壓、參雜濃度和幾何電容等測(cè)量;

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