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1、基片襯底——plasma等離子處理機(jī)等離子處理，除去基片表面雜質(zhì)，改善表面活性
基片一般在晶體管的底層，首部起著支撐作用?？捎米鱋FET的基片材料：玻璃、硅片、石英、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯萘(PEN)、聚酰亞胺(PI)、聚乙烯(PET)等。無(wú)機(jī)基板有高熔點(diǎn)、表面光滑的優(yōu)點(diǎn)，如玻璃、硅片、石英。雖然表面看起來(lái)很粗糙，但是這些數(shù)據(jù)顯示了像聚乙烯萘(PEN)和聚乙烯(PET)這樣的彈性可彎曲材料。plasma等離子處理機(jī)等離子處理的襯底需要在準(zhǔn)備階段對(duì)襯底進(jìn)行處理，以去除襯底表面雜質(zhì)，提高表面活性。
2、電極處理-plasma等離子處理機(jī)等離子處理
在有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)中，電極是另一重要元件。通常認(rèn)為，當(dāng)有機(jī)半導(dǎo)體層/電極界面的電勢(shì)壘高度△E<0.4eV時(shí)，電極與有機(jī)半導(dǎo)體層之間可以形成歐姆接觸，對(duì)于P型OFET來(lái)說(shuō)，其高已占軌道能級(jí)為-4.9eV至-5.5eV，且需選用功函數(shù)較高的，常用的有Au(-4.8eV-5.1eV)和ITO(-5.1eV)。普通ITO由于其功函數(shù)較低，要求采用進(jìn)步功函數(shù)，因此能夠利用好準(zhǔn)13.56MHz頻率VP-R3等離子處理器對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)。
3、絕緣層處理——PLASMA等離子清洗機(jī)潤(rùn)飾硅膠表面，提高了材料的兼容性
plasma等離子處理機(jī)設(shè)備運(yùn)行時(shí)，電荷首先在半導(dǎo)體與絕緣層接觸面上積累和傳遞，為了保證柵電極與有機(jī)半導(dǎo)體之間的柵極漏電流較小，要求絕緣層數(shù)據(jù)有較高的電阻，也就是要求絕緣性較好。目前常用的絕緣層數(shù)據(jù)首先是無(wú)機(jī)絕緣層，如氧化層等，在此期間，二氧化硅是一般用在有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的絕緣層，但是由于二氧化硅表面存在某些缺陷，加之其與有機(jī)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)的兼容性較差。因此需要用等離子體對(duì)硅片表面進(jìn)行潤(rùn)飾，經(jīng)測(cè)試，頻率13.56MHz的真空系列等離子清洗機(jī)處理效果佳。
4、有機(jī)半導(dǎo)體材料—PLASMA等離子清洗機(jī)活化改性處理，提高遷移率
目前，有機(jī)半導(dǎo)體材料主要分為兩類：小分子材料和聚合物材料。有機(jī)半導(dǎo)體按其溝道載流子視點(diǎn)的不同可分為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，大多數(shù)的載流子是空穴結(jié)構(gòu)，而N型半導(dǎo)體的載流子是電子結(jié)構(gòu)。除必要的穩(wěn)定性外，P型半導(dǎo)體還具備下列條件：(1)HOMO能級(jí)高，能與電極形成歐姆接觸，使空穴能順利注入；(2)有較強(qiáng)的給電子能力。常見(jiàn)的包括：稠環(huán)芳烴，例如并五苯(Pentacene)、紅熒烯(Rubrene)；聚合物，例如聚合物(3-己基噻吩)，它們能通過(guò)plasma等離子處理機(jī)等離子處理來(lái)激活和修飾有機(jī)半導(dǎo)體。采用等離子體潤(rùn)飾絕緣層表面，使有機(jī)材料的沉積更加均勻、平整，從而大大提高了器件的遷移率，改進(jìn)了器件的功能，等離子清洗機(jī)對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體器件的活化、改性作用，使器件的性能得到明顯改善。
