MSLYFVZ-50-9射頻泄漏電纜今天主要主要說的就是套接字功能的使用方法，詳細(xì)操作步驟如下所示：打開編程軟件，設(shè)置PLC參數(shù)設(shè)置PLC的IP地址打開設(shè)置1）、協(xié)議：TCP協(xié)議2）、打開方式：套接字方式3）、TCP連接方式：非被動4）、本地端口號：2000（根據(jù)自己需要更改）以太網(wǎng)調(diào)試助手設(shè)置協(xié)議類型：TCPClient；IP地址和端口號對應(yīng)PLC的設(shè)置編寫PLC程序PLC中使用的是套接字專用指令，程序單獨(dú)發(fā)送，有需要的歡迎留言。以上是全部設(shè)置步驟。型號及規(guī)格：，指標(biāo)特性：內(nèi)導(dǎo)體銅線或銅包鋁物理發(fā)泡絕緣織外導(dǎo)體

軟銅線 3 × 24 編織黑色聚乙烯內(nèi)護(hù)套

MSLYFVZ-50-9射頻泄漏電纜阻燃聚氯乙烯外護(hù)套 電氣特性：絕緣耐壓（介電強(qiáng)度） 1.8KV1min 不擊穿

內(nèi)導(dǎo)體直流電阻（ 2 0 ℃時 ）≤ 5.5Ω/km

電壓駐波比 0-300MHZ 內(nèi)≤ 1.2絕緣電阻：＞1000MΩ?km

特性阻抗 75 ± 3Ω

耦合損耗 60MHZ 75 ± 10dB環(huán)境溫度：－40 ～＋55 ℃

安裝敷設(shè)半徑 －15 ℃彎曲半徑：125mm

MSLYFVZ-50-9射頻泄漏電纜產(chǎn)品用途及特點(diǎn)

MSLYFVZ-50-9射頻泄漏電纜本產(chǎn)品適用于礦山、地鐵、地下隧道以及地下設(shè)施在建筑物內(nèi)部在無線電波不能直接傳播與傳播不良的特殊環(huán)境下作通信系統(tǒng)傳輸線。

二、MSLYFYVZ-75-9礦用同軸電纜主要技術(shù)特性

使用頻率: 1GHz 以下使用環(huán)境溫度: -25"C~70'C

數(shù)設(shè)溫度:不低于-10C

彎曲半徑:不大于電纜外徑的15倍。

3)系統(tǒng)調(diào)試質(zhì)量控制。在做系統(tǒng)調(diào)試前，技術(shù)工程師需要根據(jù)系統(tǒng)總體設(shè)計(jì)、驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)、合同要求和相關(guān)的技術(shù)文檔編制系統(tǒng)調(diào)試方案，經(jīng)技術(shù)審核確認(rèn)后再組織實(shí)施。單體設(shè)備、各子系統(tǒng)、綜合布線按相應(yīng)的質(zhì)量規(guī)范和圖紙要求進(jìn)行質(zhì)量控制，做好調(diào)試檢測記錄，對需要返工應(yīng)及時整改，整改后再進(jìn)行調(diào)試，直至正常運(yùn)行。小結(jié)現(xiàn)代建筑智能化趨勢對智能建筑的弱電工程及設(shè)備的自動化管理的要求越來越高，合理的智能化系統(tǒng)設(shè)計(jì)是滿足生活需要的前提，體現(xiàn)了未來智能建筑的功能和水平。



MOS管型防反接保護(hù)電路利用了MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，現(xiàn)在MOSFETRds（on）已經(jīng)能夠做到毫歐級，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。極性反接保護(hù)將保護(hù)用場效應(yīng)管與被保護(hù)電路串聯(lián)連接。保護(hù)用場效應(yīng)管為PMOS場效應(yīng)管或NMOS場效應(yīng)管。若為PMOS，其柵極和源極分別連接被保護(hù)電路的接地端和電源端，其漏極連接被保護(hù)電路中PMOS元件的襯底。