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高阻型霍爾效應測試系統(tǒng)的技術指標

時間:2021/11/13閱讀:315
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高阻型霍爾效應測試系統(tǒng)的技術指標:

* 磁 場:10mm 間距為 2T ;30mm 間距為 1T

* 樣品電流:0.05uA~50mA(調(diào)節(jié) 0.1nA)

* 測量電壓:0.1uV~30V

* 提供各類測試標準材料,各級別硅與砷化鎵(靈敏度與精度不同)

* *小分辨率:0.1GS

* 磁場范圍:0-1T

* 配合高斯計或數(shù)采板可計算機通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

* 霍爾系數(shù)、載流子濃度等參數(shù)隨溫度的變化曲線

* 電阻率范圍:5*10-4~108Ω.cm

* 電阻范圍:10 mΩ-100GΩ

* 載流子濃度:6*108~1023cm-3

* 遷移率:1~106cm2/vs

* 控溫精度: 0.1K

* 溫區(qū):4K-773K(選配)

* 霍爾系數(shù):±1*10-5~±1*1010cm3/C

* 測試全自動化,一鍵處理

* 可實現(xiàn)相同溫差間的連續(xù)測量

高阻型霍爾效應測試系統(tǒng)的技術指標

各系統(tǒng)參數(shù):

高精度電磁鐵

極頭直徑 100mm;

N,S 間距 10mm 時*大磁場 20000Gs;

N,S 間距 20mm 時*大 13000 高斯;

N, S 間距 30mm 時*大磁場 10000 高斯;

均勻區(qū):間距 60mm 時直徑 10mm均勻度范圍; 1%

自重 110 公斤 含支架及輪子

高阻型霍爾效應測試系統(tǒng)的技術指標

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高精度雙極性恒流電源

輸出: ±10A±80V 功率;800W

① 電源輸出電流可在正負額定*大電流之間連續(xù)變化

② 電流可以平滑過零點,非開關換向

③ 輸出電流、電壓四象限工作(適合感性負載)

④ 電流變化速率可設置范圍為 0.0007~0.3 F.S./s(F.S.為額定*大輸出電流)

※ 電流穩(wěn)定度高,紋波低

①電流穩(wěn)定度:優(yōu)于±25ppm/h(標準型);優(yōu) 于±5ppm/h(高穩(wěn)型)

② 電流準確度:±(0.01%設定值+1mA)

③ 電流分辨率:20 bit,例 15A 電源,電流分辨率為 0.03mA

④ 源效應:≤ 2.0×10-5 F.S.(在供電電壓變化 10%時,輸出電流變化量)

⑤ 負載效應:≤ 2.0×10-5 F.S.(在負載變化 10%時,輸出電流變化量)

⑥ 電流紋波(RMS):小于 1mA

高阻型霍爾效應測試系統(tǒng)的技術指標

高精度高斯計:

精度:讀數(shù)的±0.30% ;

分辨力:0.01mT 量程:0-3T ;

探頭厚度:1.0mm ;

長度 100mm 數(shù)字;

Rs-232 接口數(shù)據(jù)讀取軟件配 GP3 型探頭

高斯計探頭支架及樣品架 全鋁非導磁支架 5-70mm 可調(diào)

樣品架夾具(按要求定制)

霍爾效應系統(tǒng)軟件 可數(shù)字化調(diào)節(jié)磁場及電流,測試各類材料參數(shù)

高溫恒溫器:(293K-470K)高低溫真空容器

TESK301恒溫儀:控溫(65k-600k)

真空泵 K25 真空泵

恒流源及測試表

恒流源量程:±50nA-±50mA;

分辨力 0.1nA 在量程范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào);

高精度電壓數(shù)采儀范圍 0. 1uV-30V

精度:0.01%

內(nèi)置測試矩陣轉換卡;

歐姆接觸套件 根據(jù)不同材料的歐姆接觸制作套件

系統(tǒng)組成:

   高阻霍爾效應測試系統(tǒng)由電磁鐵、真空泵、高溫真空腔、高斯計、恒流源、電磁鐵電流源、控溫儀和計算機及軟件組成。其中,電磁鐵電流源給電磁鐵提供電流產(chǎn)生磁場;高斯計測量電磁鐵產(chǎn)生的均勻磁場值;恒流源一方面給樣品提供樣品測試電流,用于霍爾效應測試,一方面用來測量樣品反饋的霍爾電壓;被測樣品置于高溫真空腔中,由高溫膠固定,并作為四個測試點;高溫真空腔引出 4 根導線,兩個連接控溫儀進行溫度的測量及控制,另 1 根是高溫探頭引線連接到高斯計上,還有 1 根是霍爾樣片連接線連接到恒流源上;計算機連接高斯計、控溫儀、恒流源和電磁鐵電流源,通過軟件實現(xiàn)控制通過被測樣品的電流和磁場值,并獲取測得的電壓值。

可測試材料: ?

半導體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等

低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等

高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等


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