不銹鋼縫隙腐蝕檢測機構，金屬腐蝕的危害性是十分普遍的，而且也是十分嚴重的。腐蝕會造成重大的直接或間接損失，會造成災難性重大事故，而且危及人身安全。因腐蝕而造成的生產(chǎn)設備和管道的跑、冒、滴、漏，會影響生產(chǎn)裝置的生產(chǎn)周期和設備壽命，增加生產(chǎn)成本，同時還會因有毒物質的泄漏而污染環(huán)境，危及人類健康。那我們在選擇金屬腐蝕檢測的時候需要注意哪些事項呢？
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
,建議含Ti和Nb的Cr Ni奧氏體不銹鋼只能在低碳和超低碳不銹鋼不能被替代的情況下使用，如用作耐熱鋼和在聚硫酸中使用。
將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃，固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%，然后淬火。經(jīng)固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體，不會產(chǎn)生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內，碳的固溶體不超過0.02%，過飽和碳將從奧氏體中或部分析出。這時,碳會擴散到晶界和結合鐵和鉻在晶界形成硬質合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內擴散速度慢得多比在晶界,在晶界區(qū)消耗的鉻沒有時間補充，因此在晶界區(qū)形成鉻貧區(qū)。對于不銹鋼來說，由于晶界鈍化狀態(tài)的破壞，晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區(qū)成為陽極區(qū)，而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態(tài)成為陰極區(qū)。在腐蝕介質中，晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大，陽極面積比小，加速了晶界區(qū)域的腐蝕。
晶界吸附理論:超低碳不銹鋼經(jīng)1050℃固溶處理后，在強氧化介質中也會發(fā)生晶間腐蝕。這時，鉻差或不銹鋼不能采用σ相析出理論。實驗表明，當p雜質達到100ppm或Si雜質達到1000 ~ 2000ppm時，它們會在高溫區(qū)晶界處吸附分離。這些雜質在強氧化劑介質的作用下會溶解，在晶界處產(chǎn)生選擇性晶間腐蝕。該鋼經(jīng)敏化處理后不會出現(xiàn)晶間腐蝕，因為碳和磷形成了磷碳化物，限制了磷向晶界的擴散，降低了雜質在晶界的偏析，消除或減弱了對晶間腐蝕的敏感性。
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