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CQNE36132

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產(chǎn)品型號(hào)重慶萬(wàn)國(guó)CQNE36132規(guī)格書(shū)

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更新時(shí)間：2022-03-22 10:30:29瀏覽次數(shù)：340次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：525條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：楊澤銘（銷(xiāo)售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

CQNE36132一般的描述:?底源技術(shù)?RDS(ON)非常低?高電流能力?RoHS和無(wú)鹵素兼容CQNE36132應(yīng)用領(lǐng)域：?PC、服務(wù)器中的DC/DC轉(zhuǎn)換器?點(diǎn)負(fù)載轉(zhuǎn)換器CQNE36132產(chǎn)品目錄:Q1Q2VDS25V25VID(atVGS=10V)17A34ARDS(ON)(atVGS=10V)RDS(ON)(atVGS=4

詳細(xì)介紹

CQNE36132一般的描述:

?底源技術(shù)

?RDS(ON)非常低

?高電流能力

?RoHS和無(wú)鹵素兼容

CQNE36132應(yīng)用領(lǐng)域：

?PC、服務(wù)器中的DC/DC轉(zhuǎn)換器

?點(diǎn)負(fù)載轉(zhuǎn)換器

CQNE36132產(chǎn)品目錄:

Q1 Q2

VDS 25V 25V

ID (at VGS=10V) 17A 34A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 4.6mΩ < 1.4mΩ

RDS(ON) (at VGS=4.5V) < 6mΩ < 1.7mΩ

99% UIS Tested

99% Rg Tested

CQAOS重慶萬(wàn)國(guó)品牌介紹：

Alpha and Omega Semiconductor, Group（簡(jiǎn)稱(chēng)“AOS集團(tuán)"）成立于2000年，總部位于美國(guó)硅谷，是一家集半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試為一體的企業(yè)，主要從事功率半導(dǎo)體器件（含功率MOSFET、IGBT和功率集成電路產(chǎn)品）的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造。目前AOS公司在美國(guó)俄勒岡有一座8英寸晶圓廠、在上海松江有二座封裝工廠，在美國(guó)硅谷、中國(guó)臺(tái)灣、上海均設(shè)有研發(fā)中心。產(chǎn)品市場(chǎng)涉及筆記本電腦、液晶電視、手機(jī)、家電、通訊設(shè)備、工業(yè)控制、照明應(yīng)用、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。

重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司是由Alpha and Omega Semiconductor, , Group（簡(jiǎn)稱(chēng)“AOS集團(tuán)"）與渝富集團(tuán)、兩江新區(qū)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金合資經(jīng)營(yíng)。于2016年4月落戶(hù)重慶兩江新區(qū)水土工業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)，項(xiàng)目總投資10億美元，占地340畝。將分兩期建設(shè)12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封裝測(cè)試生產(chǎn)基地。具備芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試全產(chǎn)業(yè)鏈能力。產(chǎn)品不僅將銷(xiāo)往國(guó)內(nèi)外，還將廣泛應(yīng)用于本地優(yōu)勢(shì)企業(yè)，對(duì)重慶市發(fā)展汽車(chē)、智能終端、軌道交通產(chǎn)業(yè)都具有積極推動(dòng)作用，市場(chǎng)空間巨大。

CQAOS重慶萬(wàn)國(guó)新品型號(hào)：

CQ3400A,CQB5B65M1,CQD5B65M1,CQD5B65MQ1E,CQD5B65N1,CQD8B65MQ1,CQK40B65GQ1,CQK40B65H2AL,CQK60B65H2AL,

CQK75B60D1,CQN6260,CQN6276,CQN6278,CQN6382,CQN6407,CQN6590A,CQN7318,CQN7380,CQN7401,CQN7409,CQN7544,

CQN7804,CQN7934,CQNE36132,CQNR21357,CQNS66916,CQT5B65M1,CQT32374C,CQT32376CL,CQTL66912,CQNS32100,

CQD950A70,CQI950A70,CQTF190A60L,CQTF600A70FL,CQT600A70FL,CQD600A70R,CQTF380A60L,CQT380A60L,CQTF360A70L,

CQT360A70L,CQD1R4A70,CQT190A60L,CQD360A70,CQI1R4A70

產(chǎn)品特點(diǎn):
CQNE36132 集成Dual N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用AOS的*溝槽MOSFET 工藝技術(shù)制造。*的技術(shù)和工藝使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻和結(jié)電容，提供了*的高頻開(kāi)關(guān)性能。
該產(chǎn)品非常適合直流電壓轉(zhuǎn)換器,例如 PC 和服務(wù)器的降壓電路。

主要特點(diǎn):
? 25V，上管17A，RDS(on)（典型值）=3.8m?@VGS=10V；下管 34A RDS(on)（典型值）=1.1m?@VGS=10V;
? 超低導(dǎo)通內(nèi)阻
? 的Source底部封裝技術(shù)
? 的大電流能力

關(guān)鍵詞：芯片