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中國(guó)臺(tái)灣松木MOS管 ME3500數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書ME3500中文資料pdf

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產(chǎn)品型號(hào)ME3500

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聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2022-03-24 10:43:50瀏覽次數(shù)：194次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：525條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：楊澤銘（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

TheME3500istheN-andP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細(xì)介紹

The ME3500 is the N- and P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density ,DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

應(yīng)用：

●筆記本中的電源管理

●便攜式設(shè)備

●DC/DC轉(zhuǎn)換器

●負(fù)荷開關(guān)

●差示掃描量熱儀

●液晶顯示逆變器

● RDS(ON) ≦35mΩ@VGS=10V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦52mΩ@VGS=4.5V (N-Ch)

● RDS(ON) ≦70mΩ@VGS=-10V (P-Ch)

● RDS(ON) ≦95mΩ@VGS=-4.5V (P-Ch)

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)