當前位置：深圳市泰德蘭電子有限公司>>TO-220>>中國臺灣松木MOS管 ME3205T數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書ME3205T中文資料pdf

中國臺灣松木MOS管 ME3205T數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書ME3205T中文資料pdf

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號ME3205T

品牌

廠商性質(zhì)代理商

所在地

在線詢價收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時間：2022-03-24 10:54:51瀏覽次數(shù)：131次

聯(lián)系我時，請告知來自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類 品牌分類

  TO-220

全部產(chǎn)品列表

暫無信息

深圳市泰德蘭電子有限公司

經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：525條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：楊澤銘（銷售經(jīng)理）

詢價 給他留言

產(chǎn)品簡介

TheME3205TistheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細介紹

The ME3205T is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density,DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

應(yīng)用：

●電源管理

●DC/DC轉(zhuǎn)換器

● RDS(ON)≦6.5mΩ@VGS=10V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability