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中國(guó)臺(tái)灣松木MOS管 MEE3710T數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書MEE3710T中文資料pdf

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產(chǎn)品型號(hào)MEE3710T

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聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2022-03-24 10:57:49瀏覽次數(shù)：183次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

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聯(lián)系人：楊澤銘（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

TheMEE3710TisaN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistors,usingForce-MOSpatentedExtendedTrenchGate(ETG)technology

詳細(xì)介紹

The MEE3710T is a N-Channel enhancement mode power field effect transistors,using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG)technology.This advanced technology is especially tailored to minimize on state resistance and gate charge, and enhance avalanche capability.These devices are particularly suited for medium voltage application such as charger, adapter,notebook computer power management and other lighting dimming powered circuits,ａnd low in-line power loss that are needed in a very small outline surface mount package.

應(yīng)用：

●電源管理

●同步整流

●負(fù)荷開(kāi)關(guān)

● RDS(ON)≦23mΩ@VGS=10V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

關(guān)鍵詞：負(fù)荷開(kāi)關(guān)