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中國臺灣松木MOS管ME2325-G現(xiàn)貨現(xiàn)出ME2325-G中文資料pdf

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產(chǎn)品型號ME2325

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更新時間：2022-03-24 11:13:14瀏覽次數(shù)：193次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

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產(chǎn)品簡介

TheME2325istheP-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細介紹

The ME2325is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high densityprocess is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switchingａnd low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

me2325是P通道邏輯增強型功率場效應(yīng)晶體管，采用高密度DMOS溝道技術(shù)制造。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些設(shè)備特別適用于低電壓應(yīng)用，如蜂窩電話和筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在非常小的外形表面安裝包中，需要高側(cè)切換和低在線功耗。

力士科技中國臺灣松木MOS管一級代理商[泰德蘭電子]銷售:P溝道MOS管MOSFET場效應(yīng)管30V4.3A/型號ME2325,我司有大量現(xiàn)貨庫存/提供產(chǎn)品訂貨/現(xiàn)貨MOS管MOSFET場效應(yīng)管ME2325報價,MOS管MOSFET場效應(yīng)管ME2325的功能介紹,MOS管MOSFET場效應(yīng)管ME2325特點/概況,MOS管MOSFET場效應(yīng)管ME2325技術(shù)資料文檔下載,MOS管MOSFET場效應(yīng)管ME2325數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書,MOS管MOSFET場效應(yīng)管ME2325中文資料pdf,MOS管MOSFET場效應(yīng)管ME2325導通開啟電壓參數(shù),MOS管MOSFET場效應(yīng)管ME2325應(yīng)用電路圖,MOS管MOSFET場效應(yīng)管ME2325引腳功能圖.MOS管MOSFET場效應(yīng)管ME2325力士科技中國臺灣松木MOS管,MOS管MOSFET場效應(yīng)管ME2325力士科技中國臺灣松木MOS管品牌

●RDS(ON)≦50m?@VGS=-10V

●RDS(ON)≦76m?@VGS=-4.5V

●Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

●Exceptional on-resistance andmaximum DC current

MOS管應(yīng)用領(lǐng)域：

●Power Management in Note book

●Portable Equipment

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●DC/DC Converter

●Load Switch

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