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中國(guó)臺(tái)灣松木MOS管 ME2612數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格書ME2612中文資料pdf

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產(chǎn)品型號(hào)ME2612

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聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2022-03-25 09:56:26瀏覽次數(shù)：150次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

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商鋪產(chǎn)品：525條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：楊澤銘（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

TheME2612istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細(xì)介紹

The ME2612 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

應(yīng)用：

●DC/DC轉(zhuǎn)換器

●負(fù)荷開關(guān)

● RDS(ON)≦375mΩ@VGS=10V

● RDS(ON)≦390mΩ@VGS=4.5V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

關(guān)鍵詞：負(fù)荷開關(guān)