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中國臺灣松木MOS管 ME1304AT3數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書ME1304AT3中文資料pdf

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產(chǎn)品型號ME1304AT3

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聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間：2022-03-25 10:21:25瀏覽次數(shù)：131次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：525條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：楊澤銘（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡介

TheME1304AT3istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology

詳細(xì)介紹

The ME1304AT3 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching , and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

應(yīng)用：

●筆記本中的電源管理

●便攜式設(shè)備

●負(fù)荷開關(guān)

●差示掃描量熱儀

● RDS(ON) ≦ 65 mΩ @VGS=4.5V

● RDS(ON) ≦ 80 mΩ @VGS=2.5V

● RDS(ON) ≦ 95 mΩ @VGS=1.8V

● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability

關(guān)鍵詞：負(fù)荷開關(guān) 差示掃描量熱儀