產品介紹

 平面研磨法是將氬離子束傾斜照射到樣品表面，并將氬離子束中心和樣品旋轉中心進行偏心調整，實現廣域加工的方法。氬離子束的照射角度(θ)可設置為0°～90°4) 。當照射角度≥80°時，離子束照射角度與樣品加工面近乎平行，因此，可以減少由于晶體取向和成分蝕刻速率差造成的凹凸不平，形成相對平滑的加工面。這種方法常用于去除機械研磨加工對樹脂包埋樣品造成的研磨痕跡，實現樣品的精加工。照射角度較小時，可以利用蝕刻速率差，凸顯樣品的凹凸特性。通過樣品表面的凹凸形貌，判斷多層膜的層結構等。

產品特性：

1、截面研磨法
截面研磨法是在樣品和離子槍之間安裝一個遮擋板，使樣品局部突出遮擋板邊緣，然后用離子束照射樣品。沿遮擋板邊緣濺射突出邊緣的部分，由此可獲得切割均勻的截面。使樣品突出遮擋板數十微米至100微米，并以±15～40°旋轉樣品桿，以防產生離子研磨痕跡（細條紋）。截面研磨普遍適用于塊狀樣品和多層結構等機械研磨難以精加工處理的樣品。

2、平面研磨法
平面研磨法是將氬離子束傾斜照射到樣品表面，并將氬離子束中心和樣品旋轉中心進行偏心調整，實現廣域加工的方法3) 。氬離子束的照射角度(θ)可設置為0°～90°4) 。當照射角度≥80°時，離子束照射角度與樣品加工面近乎平行，因此，可以減少由于晶體取向和成分蝕刻速率差造成的凹凸不平，形成相對平滑的加工面。這種方法常用于去除機械研磨加工對樹脂包埋樣品造成的研磨痕跡，實現樣品的精加工。照射角度較小時，可以利用蝕刻速率差，凸顯樣品的凹凸特性。通過樣品表面的凹凸形貌，判斷多層膜的層結構等。

工作原理：

IM4000PLUS
IM4000PLUS是一款搭載截面研磨和平面研磨兩種功能的復合型離子研磨儀。它的功能強大，用途廣泛，用戶可選配用于鋰離子電池分析的真空轉移盒，以及在離子照射樹脂、高分子材料時，可降低熱損傷的樣品冷卻功能，因此受到了市場的廣泛歡迎。而且，IM4000PLUS搭載了高速離子槍，可縮短研磨時間，截面研磨速率高達500 μm/h以上(*)。

IM4000PLUS采用間接方式冷卻樣品，首先在杜瓦瓶內裝滿液氮，以此作為冷卻源，再通過銅線對樣品加工區(qū)域進行冷卻。對于樹脂和橡膠材質的樣品，即使是采用間接冷卻的方式其溫度仍低于玻璃化轉變溫度，為防止樣品溫度過低，用戶可同時使用加熱器，將樣品溫度調節(jié)在0℃到-100℃范圍內。圖6所示為分別對硅膠進行常溫截面研磨(a)和冷卻截面研磨(b)加工后獲得的SEM圖像。常溫下對硅膠進行截面研磨時，氬離子照射會使樣品溫度升高，造成基體橡膠內隨處都是褶皺。而采用冷卻研磨可大幅減少褶皺，抑制樣品溫度升高。

操作步驟：

① 在控制氧氣濃度和溫度的手套箱內，將樣品置于真空轉移盒內，并旋緊密封蓋。
② 取出真空轉移盒，安裝到離子研磨儀上。
③ 在真空樣品倉內取下密封蓋。
④ 離子研磨加工
⑤ 真空環(huán)境下蓋緊密封蓋
⑥ 打開密封蓋，拉出樣品桿。
⑦ 選擇支持真空轉移樣品的SEM進行樣品觀察。

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