MicroHezao GVC系列全自動濺射儀，該系列產(chǎn)品擁有優(yōu)秀的濺射系統(tǒng)，可以更換不同的金屬靶材（金，鉑，銀，銥，鉻，銅等），實現(xiàn)高要求的細粒涂層。GVC系列為您提供優(yōu)質的樣品制備，輕松助您取得更好地材料研究樣品， 獲得高質量的顯微鏡觀結果。MicroHezao電鏡制樣技術團隊，為您提供全套解決方案。

發(fā)現(xiàn)其特點

○一鍵式鍍膜　　　○更小的桌面占用面積 　　　○直觀的操作界面 　 　 ○全自動化控制

○應用范圍更廣泛   ○鍍膜更換　　　　　　　　 ○結果 　 　 　　　○使用更簡便

全自動濺射儀為掃描電鏡用戶在制樣過程中提供了更廣泛的選擇，以便適用支持掃描電子顯微鏡所需的涂層要求。磁控濺射的原理是，在電場內在疊加一個磁場，這樣電子在疊加場內做

螺旋運動，行程很長，每個電子電離的氣體分子比直流多很多很多，所以可以在低電壓下，有較好的真空度。濺射產(chǎn)生同樣的鍍膜效果。但是因為磁控真空度相對高，所以鍍膜的顆粒小，膜層附著力好，靶材的利用率也高。在直流濺射過程中，樣品的溫升主要來自于負離子在電場作用下對樣品的轟擊，在磁控濺射中，負離子都被磁場束縛了，所以基本沒有對樣品的轟擊，所以溫升基本沒有，很適合溫度敏感性的樣品制備。

系統(tǒng)特點：

○ 儀器采用微處理器控制，自動化程度高精確控制、易于操作；

○低電壓、較好真空度下的實現(xiàn)大電流濺射，可濺射金、銀、銅、鉑等常用金屬靶材；

○金膜顆粒絕大多數(shù)＜1 0 n m，顆粒更細，均勻度更好，附著力更強，觀測效果更好；

○靶材利用率更高，磁控濺射靶材利用率為直流濺射的2倍,為用戶節(jié)約靶材費用；

○電子和負離子被磁場束縛在靶材附近，鍍膜過程中基本沒有溫升，適用溫度敏感性樣品；

○采用微處理器控制，擴展性能好，可實時顯示真空度、濺射電流、濺射時間、設備運行時間；

○靶材使用時間等，方便了解設備情況，具備過流、真空保護功能，安全可靠；

○內置用戶使用向導和說明書，方便用戶操作。

指 標 參 數(shù)

外形尺寸： 424× 290×2 65 (mm） 　工作電壓： 200-240VAC 50H z

濺射電壓： DC 600V 　　　　 　 　　控制模式： 微處理器控制

功率： 450W 　　　　 　 　 　　濺射電流： ≤45 mA

濺射時間： ≤600s 　　　　 　 　 　　極限真空 ： 0.1Pa

工作真空： ≤30Pa 　　　　 　 　 　　膜層厚度： 內置膜厚估算（金靶）

真空測量： 電阻規(guī) 　　　　 　　　　　真空 速 率： 1L/s