實驗機理
PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：
1, 電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學反應(yīng)，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。
2, 通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點，工藝流程簡單。
主要特點
我公司研制的滑軌式PECVD系統(tǒng)能使整個實驗腔體都處于輝光產(chǎn)生區(qū)，輝光均勻等效，這種技術(shù)很好的解決了傳統(tǒng)等離子工作不穩(wěn)定狀態(tài)，這樣離子化的范圍和強度是傳統(tǒng)PECVD的百倍，并解決了物料不均勻堆積現(xiàn)象。
1.與傳統(tǒng)CVD系統(tǒng)比較，生長溫度更低。
2.使用滑軌爐可實現(xiàn)快速升溫和降溫。
3. 設(shè)備*的技術(shù)使得整管輝光均勻等效，均勻生長。
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)品型號 | BTF-1200C-SL-PECVD |
工作電源 | AC220V /50HZ |
工作電源 | AC220V /50HZ |
額定功率 | 3KW |
爐管尺寸 | Φ50/60/80/100(可選）*1650mm |
工作溫度 | 1100℃ |
Z高溫度 | 1200℃ |
控溫精度 | ±1℃ |
升溫速率 | 10℃/min |
加熱元件 | 電阻絲（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo） |
加熱區(qū)長度 | 440mm/220mm |
恒溫區(qū)長度 | 200mm/100mm（±1℃） |
控溫方式 | 模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能 |
爐門結(jié)構(gòu) | 開啟式 |
氣路系統(tǒng)（可定制） | 1、系統(tǒng)內(nèi)部裝有高精度質(zhì)量流量計可準確的控制氣體流量。2、氣體流量范圍1-1000sccm（可選），誤差為±1.5%。3、一個氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥。4、不銹鋼針閥安裝在左側(cè)可手動控制混合氣體輸入。 |
射頻電源與匹配器500W/150W | 1、電源：單相50/60Hz 220v±10% |
真空機組 | 低真空或高真空機組（根據(jù)實際需要） |
各組成部分名稱
環(huán)保在線