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EM12精致型多入射角激光橢偏儀

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產(chǎn)品型號EM12

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更新時間：2023-03-11 17:28:45瀏覽次數(shù)：290次

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產(chǎn)品簡介

EM12是采用量拓科技測量技術(shù)，針對中端精度需求的研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的精致型多入射角激光橢偏儀

詳細介紹

EM12是采用量拓科技測量技術(shù)，針對中端精度需求的研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的精致型多入射角激光橢偏儀。

EM12可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；亦可用于實時測量納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計實現(xiàn)了納米薄膜的相對厚度測量。

EM12采用了量拓科技多項技術(shù)。

特點：

次納米量的高靈敏度

采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量極薄納米薄膜，膜厚精度可達到0.2nm。

1.6秒的快速測量

水準的儀器設(shè)計，在保證精度和準確度的同時，可在1.6秒內(nèi)快速完成一次測量，可對納米膜層生長過程進行測量。

簡單方便的儀器操作

用戶只需一個按鈕即可完成復(fù)雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高測量設(shè)置。

應(yīng)用：

EM12適合于中端精度要求的科研和工業(yè)環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。

EM12可用于測量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。

EM12可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等?？蓱?yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。

技術(shù)指標:

項目	技術(shù)指標
儀器型號	EM12
激光波長	632.8nm (He-Ne Laser)
膜厚測量重復(fù)性（1）	0.2nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率測量重復(fù)性（1）	2x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
單次測量時間	與測量設(shè)置相關(guān)，典型1.6s
大的膜層范圍	透明薄膜可達4000nm 吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關(guān)
光學(xué)結(jié)構(gòu)	PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準確度）
激光光束直徑	1-2mm
入射角度	40°-90°可手動調(diào)節(jié)，步進5°
樣品方位調(diào)整	Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm 二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° 樣品對準：光學(xué)自準直和顯微對準系統(tǒng)
樣品臺尺寸	平面樣品直徑可達Φ170mm
大外形尺寸	887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)
儀器重量（凈重）	25Kg
選配件	水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺真空吸附泵
軟件	ETEM軟件： l 中英文界面可選； l 多個預(yù)設(shè)項目供快捷操作使用； l 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合； l 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出 l 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持