Quantum Design China(Beijing)
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更新時間：2022-08-25 17:14:17瀏覽次數(shù)：237次
聯(lián)系我時，請告知來自 環(huán)保在線日本GES公司生產(chǎn)的四電弧高溫單晶生長爐，采用的高溫材料合成方法，非常適合生長化學性質(zhì)活躍但熔點（一般在3000攝氏度左右）的金屬間化合物，包括含有稀土元素（或者金屬鈾）的二元及四元金屬間化合物，例如UGe2, UPt3, V3Si, URu2Si2, RE2Co17 , CePd2Al3, REFe10Ti2 合金單晶以及Nd2Fe14B, URhAl, UNiAl and RENi5等......
基本參數(shù)：
| 樣品腔： 溫度：3000℃ 氣氛：Ar 工作壓強：5x10-6 Torr~1.1Atm 真空度：10-6 Torr 尺寸:直徑208*300H 材料:不銹鋼 冷卻:水冷 提拉棒： 提拉生長速度：0.1-39mm/hr 轉(zhuǎn)動速度:0-10rpm 行程：150mm | 坩堝： 轉(zhuǎn)動速度：0-10rpm 行程：20mm 電弧電流： 樣品：25/30A（可調(diào)） 真空吸氣劑：25/30A（可調(diào)） 爐體： 重量：350Kg 尺寸：600W*700D*2155H |
工作原理圖
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